[发明专利]具有增强的覆盖质量的光刻工艺和系统

权利要求书

1.一种控制光刻的方法，包括：

在图案化的衬底上形成光刻胶层；

从所述图案化的衬底收集第一覆盖数据；

基于来自集成电路(IC)图案的第二覆盖数据至来自所述图案化的衬底的所述第一覆盖数据的映射来确定覆盖补偿，其中，所述第二覆盖数据由从集成电路图案数据库得到的将要形成在所述光刻胶层上的所述集成电路图案提取得到，并且确定所述覆盖补偿包括基于所述第二覆盖数据和所述第一覆盖数据之间的位移差异，使用对准模型计算所述覆盖补偿；

根据所述覆盖补偿对光刻系统实施补偿工艺；以及

通过所述光刻系统对所述光刻胶层实施光刻曝光工艺，从而将所述集成电路图案成像至所述光刻胶层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述图案化的衬底收集所述第一覆盖数据包括从至少一个覆盖计量工具来收集所述第一覆盖数据。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述图案化的衬底收集所述第一覆盖数据包括当所述图案化的衬底固定在所述光刻系统的对准晶圆台上时，从所述图案化的衬底收集所述第一覆盖数据。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，集成在所述光刻系统中的所述对准晶圆台的数量选择为使得所述第一覆盖数据的收集和所述光刻曝光工艺的实施在处理时间方面基本匹配而不会影响通过所述光刻系统执行的所述光刻曝光工艺的生产量。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述图案化的衬底包括半导体晶圆；以及

从所述图案化的衬底收集所述第一覆盖数据包括收集具有所述半导体晶圆上的对准掩模的全映射的所述第一覆盖数据。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，从所述图案化的衬底收集所述第一覆盖数据还包括从所述半导体晶圆的域内对准标记和域间对准标记收集所述第一覆盖数据。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述光刻系统实施所述补偿工艺包括调节所述光刻系统的投射模块的光学参数。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述光刻系统实施所述补偿工艺包括调节所述光刻系统，从而使得覆盖误差最小化。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述对准模型将所述光刻系统的系统参数与所述覆盖补偿相关联。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述对准模型包括域内高阶工艺校正。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在对所述光刻胶层实施所述光刻曝光工艺之后，显影所述光刻胶层；以及

在显影的所述光刻胶层和所述图案化的衬底之间实施用于覆盖误差的覆盖测量。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括向对准模型反馈所述覆盖误差以进一步调整所述对准模型。

13.根据权利要求11所述的方法，还包括：

向所述对准模型反馈所述覆盖误差以确定新覆盖补偿；以及

调节所述光刻系统的光学参数。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，实施所述光刻曝光工艺包括通过所述光刻系统实施所述光刻曝光工艺，所述光刻系统具有选自由紫外光(UV)、深紫外光(DUV)和远紫外光(EUV)组成的组中的辐射源。