[发明专利]存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

多个存储单元，至少一个存储单元包括：

多个晶体管，具有垂直栅极全包围结构；以及

多个有源块，至少一个有源块的一部分用作一个晶体管的源极或漏极；

其中，至少一个所述晶体管包括：

沟道杆，在所述有源块上或上方；

栅极绝缘体，环绕所述沟道杆；

栅极，环绕所述沟道杆和所述栅极绝缘体；以及

顶部电极，在所述沟道杆上或上方。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述有源块横跨所述存储单元的相对边界延伸。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，一个所述存储单元的有源块分别连接至相邻存储单元的有源块。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述存储单元形成阵列单位，并且所述存储器件还包括连接至所述阵列单位的带单元，所述带单元包括分别连接至与所述带单元相邻的存储单元的有源块。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述存储器件还包括：

多个导体；以及

多个接触件，分别连接至所述有源带和所述导体。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述存储器件还包括：

屏蔽金属，设置在相邻的两个导体之间。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，至少一个所述存储单元还包括：

第一阱；以及

第二阱，设置为与所述第一阱相邻，所述第一阱和所述第二阱一起占用所述存储单元的布局面积，所述第一阱的掺杂物不同于所述第二阱的掺杂物。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，至少一个所述存储单元是六晶体管(6T)静态随机存取存储器(SRAM)。

9.一种存储器件，包括：

多个存储单元，至少一个存储单元包括：

多个有源块；以及

多个晶体管，至少一个晶体管包括：

底部电极，通过一个有源块的一部分形成，用作晶体管的源极和漏极中的一个；

顶部电极，用作所述源极和所述漏极中的另一个；

沟道杆，设置在所述底部电极和所述顶部电极之间并连接至所述底部电极和所述顶部电极；

栅极绝缘体，环绕所述沟道杆；以及

栅极，环绕所述沟道杆和所述栅极绝缘体。

10.根据权利要求9所述的存储器件，其中，所述有源块包括：

第一有源块、第二有源块、第三有源块和第四有源块；并且

其中，至少一个所述存储单元的晶体管包括：

第一晶体管；

第二晶体管，所述第一晶体管的底部电极和所述第二晶体管的底部电极形成所述第一有源块；

第三晶体管，所述第一晶体管的栅极和所述第三晶体管的栅极形成第一栅极板；

第四晶体管，所述第二晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极形成第二栅极板，所述第三晶体管的底部电极和所述第四晶体管的底部电极形成所述第二有源块；

第五晶体管，所述第五晶体管的底部电极通过所述第三有源块的一部分形成；以及

第六晶体管，所述第六晶体管的底部电极通过所述第四有源块的一部分形成，并且所述第五晶体管的栅极和所述第六晶体管的栅极形成第三栅极板。

11.根据权利要求10所述的存储器件，其中，所述第一有源块和所述第二有源块分别电连接至电源导体，所述第三有源块电连接至第一位线，以及所述第四有源块电连接至第二位线。

12.根据权利要求10所述的存储器件，其中，所述第一晶体管的顶部电极、所述第三晶体管的顶部电极和所述第五晶体管的顶部电极形成第一顶板，所述第二晶体管的顶部电极和所述第四晶体管的顶部电极形成第二顶板。

13.根据权利要求12所述的存储器件，其中，至少一个所述存储单元还包括：

第一接触件，电连接至所述第一栅极板和所述第二顶板；以及

第二接触件，电连接至所述第二栅极板和所述第一顶板。