[发明专利]基于DFP-ITO电极的细胞阻抗传感器及其应用

权利要求书

1.感光干膜-铟锡氧化物电极，其特征在于，包括导电基底层(1)和位于所述导电基底层(1)上的绝缘层(2)，所述绝缘层(2)上设置有电极孔(3)，所述导电基底层(1)上还设置有引线接口(4)，通过引线接口(4)与电源连接；所述导电基底层(1)为铟锡氧化物导电玻璃，所述绝缘层(2)为感光干膜。

2.基于权利要求1所述的感光干膜-铟锡氧化物电极的细胞阻抗传感器，其特征在于，包括感光干膜-铟锡氧化物电极和测量小池(5)，所述测量小池(5)置于感光干膜-铟锡氧化物电极的电极孔(3)上，并与电极孔(3)连通。

3.根据权利要求2所述的细胞阻抗传感器，其特征在于，在所述测量小池(5)与电极孔(3)之间还设置有垫圈(6)。

4.根据权利要求2所述的细胞阻抗传感器，其特征在于，还包括固定感光干膜-铟锡氧化物电极和测量小池(5)的夹具(7)。

5.根据权利要求4所述的细胞阻抗传感器，其特征在于，所述夹具(7)包括上夹板(71)和下夹板(72)，所述上夹板(71)和下夹板(72)通过螺栓(8)连接。

6.根据权利要求2所述的细胞阻抗传感器，其特征在于，所述感光干膜-铟锡氧化物电极的电极孔(3)的直径为0.1mm-2mm。

7.权利要求1所述的感光干膜-铟锡氧化物电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法是通过对位于所述导电基底层(1)上的感光干膜绝缘层(2)进行选择性紫外照射、显影获得电极孔(3)，从而得到感光干膜-铟锡氧化物电极。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，采用碳酸钠溶液进行显影；将获得的感光干膜-铟锡氧化物电极用去离子水冲洗，烘干，再经紫外照射使感光干膜完全固化。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体包括如下进行的步骤：

(1)将感光干膜压贴在铟锡氧化物导电玻璃表面，铟锡氧化物导电玻璃为导电基底层(1)，感光干膜为绝缘层(2)；

(2)绘制电极孔(3)和引线接口(4)图案，通过喷墨打印机打印在透明胶片上制成光掩膜，透过光掩膜对感光干膜进行紫外照射；

(3)将步骤(2)中紫外照射后的感光干膜进行显影，使未经紫外照射的区域暴露，进而获得感光干膜-铟锡氧化物电极。

10.基于权利要求2所述的细胞阻抗传感器进行细胞形态学和阻抗信息同时检测的方法，其特征在于，包括如下进行的步骤：

(1)将细胞悬液加载到测量小池(5)内，静置使细胞沉降到电极孔(3)的表面，放入培养箱进行培养；

(2)通过光学显微成像技术观察细胞培养过程中细胞形态学变化信息；

(3)通过电化学阻抗谱技术测量细胞培养过程中细胞阻抗信息，所述电化学阻抗谱技术测量是以接种了细胞的感光干膜-铟锡氧化物电极作为工作电极进行电化学阻抗谱测量。