[发明专利]电子照相感光构件及其制造方法、处理盒和电子照相设备、和羟基镓酞菁晶体

权利要求书

1.一种电子照相感光构件，其包括：

支承体；和

在所述支承体上的感光层；

其特征在于，所述感光层包括在CuKαX射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为6.9°、7.7°、16.4°、24.4°和26.5°处具有峰的羟基镓酞菁晶体。

2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述羟基镓酞菁晶体进一步在CuKαX射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为12.0°、19.0°、23.0°和27.6°处具有峰。

3.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述羟基镓酞菁晶体进一步在CuKαX射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为8.3°、17.1°和25.3°处具有峰。

4.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述羟基镓酞菁晶体进一步在CuKαX射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为13.2°、17.1°和27.3°处具有峰。

5.根据权利要求1至4任一项所述的电子照相感光构件，其中所述感光层包括电荷产生层和在所述电荷产生层上的电荷输送层，和

所述电荷产生层包括所述羟基镓酞菁晶体。

6.一种处理盒，其可拆卸地安装至电子照相设备的主体，其特征在于，所述处理盒一体化地支承根据权利要求1至5任一项所述的电子照相感光构件、和选自由充电装置、显影装置、转印装置和清洁构件组成的组的至少一种。

7.一种电子照相设备，其特征在于，其包括：

根据权利要求1至5任一项所述的电子照相感光构件；

充电装置；

曝光装置；

显影装置；和

转印装置。

8.一种羟基镓酞菁晶体，其特征在于，在CuKαX射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为6.9°、7.7°、16.4°、24.4°和26.5°处具有峰。

9.根据权利要求8所述的羟基镓酞菁晶体，其进一步在CuKαX射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为12.0°、19.0°、23.0°和27.6°处具有峰。

10.根据权利要求8所述的羟基镓酞菁晶体，其进一步在CuKαX射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为8.3°、17.1°和25.3°处具有峰。

11.根据权利要求8所述的羟基镓酞菁晶体，其进一步在CuKαX射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为13.2°、17.1°和27.3°处具有峰。

12.一种电子照相感光构件的制造方法，所述电子照相感光构件包括支承体和在所述支承体上的感光层，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

通过添加酰胺化合物和羟基镓酞菁并且进行研磨处理来提供在CuKαX射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为6.9°、7.7°、16.4°、24.4°和26.5°处具有峰的羟基镓酞菁晶体；和

通过形成含有所述羟基镓酞菁晶体的感光层形成用涂布液的涂膜并且干燥所述涂膜来形成感光层，

其中所述酰胺化合物是选自由以下式(1)表示的化合物、以下式(2)表示的化合物和以下式(3)表示的化合物组成的组的至少一种，

13.一种电子照相感光构件的制造方法，所述电子照相感光构件包括支承体、在所述支承体上的电荷产生层、和在所述电荷产生层上的电荷输送层，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

通过添加酰胺化合物和羟基镓酞菁并且进行研磨处理来提供在CuKαX射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为6.9°、7.7°、16.4°、24.4°和26.5°处具有峰的羟基镓酞菁晶体；和

通过形成含有所述羟基镓酞菁晶体的电荷产生层形成用涂布液的涂膜并且干燥所述涂膜来形成电荷产生层，

其中所述酰胺化合物是选自由以下式(1)表示的化合物、以下式(2)表示的化合物和以下式(3)表示的化合物组成的组的至少一种，