[发明专利]一种STI隔离抗辐射加固结构的制备工艺有效
| 申请号： | 201510197886.8 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN104882406B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 郑若成;徐海铭;曾庆平;赵文彬;洪根深;汤赛楠 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 总装工程兵科研一所专利服务中心32002 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214035 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sti 隔离 辐射 加固 结构 制备 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种STI隔离抗辐射加固结构的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
第1步，在硅衬底（1）的外延层（2）上生长第一二氧化硅层（3）和第一氮化硅层（4）；
第2步，使用STI专用光刻版（12）对器件进行相应涂胶、曝光、显影，用于后道STI腐蚀；
第3步，对第一氮化硅层（4）、第一二氧化硅层（3）和外延层（2）进行刻蚀和去胶，在外延层（2）上刻蚀出浅槽（5）；
第4步，在浅槽（5）的内壁依次生成第二二氧化硅层（8）和第二氮化硅层（9）的叠层，所述第二二氧化硅层（8）和第二氮化硅层（9）的叠层为三层以上结构，然后对浅槽（5）填充USG介质层（10）；
第5步，对USG介质层（10），以及第二二氧化硅层（8）和第二氮化硅层（9）的叠层进行CMP工艺处理，停止在第一氮化硅层（4）上；
第6步，去除第一氮化硅层（4）和第一二氧化硅层（3），完成器件平坦化工艺，获得带有第二二氧化硅层（8）和第二氮化硅层（9）的叠层结构的STI隔离槽（11）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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