[发明专利]基于MMC结构的四象限高压变频器装置在审
申请号: | 201510198465.7 | 申请日: | 2015-04-23 |
公开(公告)号: | CN104811057A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 周治国;周立专;黎林 | 申请(专利权)人: | 广东明阳龙源电力电子有限公司 |
主分类号: | H02M5/458 | 分类号: | H02M5/458;H02P27/06;H02P27/14 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 张海文 |
地址: | 528437 广东省中山市火炬*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 mmc 结构 象限 高压 变频器 装置 | ||
1. 基于MMC结构的四象限高压变频器装置,包括顺次连接的整流模块和逆变模块,该整流模块输入端用于连接高压电网,逆变模块的输出端用于连接电机类负载,其特征在于:所述整流模块和逆变模块的单元结构相同且整流模块的直流输出端与逆变模块的直流输入端连接,整流模块和逆变模块均分成三相,每相由多个链式MMC单元串联组成。
2.根据权利要求1所述的基于MMC结构的四象限高压变频器装置,其特征在于:所述每相由偶数N个链式MMC子单元串联而成并分为上下两组,每组子单元个数为N/2个;每相的输出端为上下两组子单元的中点处,且输出端与上下两组子单元之间以缓冲电感连接。
3.根据权利要求2所述的基于MMC结构的四象限高压变频器装置,其特征在于:所述链式MMC子单元的结构为半桥结构,包括两个IGBT开关器件T1、T2和一个直流电容C,该开关器件T1的发射极与开关器件T2的集电极连接,该开关器件T2的发射极与开关器件T1的集电极之间串接所述直流电容C。
4.根据权利要求1所述的基于MMC结构的四象限高压变频器装置,其特征在于:其还包括串接在整流模块输入端与高压电网之间的电阻充电回路,该电阻充电回路包括并联着的充电电阻和旁路开关。
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