[发明专利]AMOLED显示器件有效
申请号: | 201510198946.8 | 申请日: | 2015-04-22 |
公开(公告)号: | CN104795431B | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 何东阳 | 申请(专利权)人: | 何东阳 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201101 上海市闵行*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | amoled 显示 器件 | ||
本发明提供了一种AMOLED显示器件,所述AMOLED显示器件包括:一像素矩阵,所述像素矩阵包括多个呈矩阵排布的像素,每一像素包括三个子像素,所述三个子像素的中心点连线构成一三角形,横向相邻的两个像素的排列方式均为镜像对称排列,纵向相邻的两个像素的排列方式为镜像对称排列或反向排列。在本发明提供的AMOLED显示器件中,通过调整像素排列方式,将相同颜色的子像素排列在一起,使得颜色相同且位置相邻的子像素能够共用一个OLED图形,从而在不损失显示效果的基础上有效提高AMOLED显示器件的解析度。
技术领域
本发明涉及平板显示技术领域,特别涉及一种AMOLED显示器件。
背景技术
有机发光显示器件利用有机发光二极管(英文全称Organic Lighting EmittingDiode,简称OLED)显示图像,是一种主动发光的显示器件。根据驱动方式的不同,有机发光显示器件分为被动矩阵有机发光显示器件(英文全称Passive Matrix Organic LightingEmitting Display,简称PMOLED)和主动矩阵有机发光显示器件(英文全称Active MatrixOrganic Lighting Emitting Display,简称AMOLED),主动矩阵有机发光显示器件也称为有源矩阵有机发光显示器件。其中,AMOLED显示器件因其高色度域,高响应速度,更轻薄等特点,目前正取代薄膜晶体管液晶显示器(英文全称Thin Film Transistor liquidcrystal display,简称TFT-LCD)而逐渐成为下一代平板显示技术领域有力的竞争者。
目前,AMOLED的彩色技术分为WOLED技术和RGB-OLED技术。其中,WOLED技术采用白光通过彩膜(英文全称Color Filter,简称CF)过滤的方式实现彩色化,因目前CF可支持较高的分辨率,因此,WOLED方式的分辨率可与液晶的分辨率能力相当。但是,WOLED技术需要将三种OLED器件串联起来发出白光而后进行过滤,因此,会产生比较高的功耗,不适合于移动显示领域。而RGB-OLED技术需要采用精细金属掩膜(FMM)工艺,将RGB的图形分别蒸镀到显示区域的子像素上,每一个子像素一般对应一个颜色蒸镀图形(也称OLED图形)。
请参考图1,其为现有的AMOLED像素的排列方式。如图1所示,现有的AMOLED像素通常包括条状排列的红色子像素(R)、绿色子像素(G)和蓝色子像素(B),即RGB三元色。
因制造工艺的原因,FMM的最小图形精度(即OLED图形的极限尺寸)目前成为解析度提高的主要限制。目前,AMOLED显示器件的解析度无法满足市场要求。为了提高AMOLED显示器件的解析度,通常采用共用子像素的方式,即通过像素排列实现子像素的共用,以提高解析度。请参考图2,其为现有的提高解析度的像素排列方式。如图2所示,传统的提高解析度的像素排列方式中,中间的绿色子像素代表一个像素的中心,四周的蓝色子像素和红色子像素与别的像素共用。
然而,采用这种排列方式的AMOLED显示器件,由于其像素周围的排列为异色,因此会造成颜色失真和彩点问题,从而导致显示效果下降。
发明内容
本发明的目的在于提供一种AMOLED显示器件,以解决现有的AMOLED显示器件解析度低或因提高解析度而影响显示效果的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种AMOLED显示器件,所述AMOLED显示器件包括:一像素矩阵,所述像素矩阵包括多个呈矩阵排布的像素,每一像素包括三个子像素,所述三个子像素的中心点连线构成一三角形,横向相邻的两个像素的排列方式均为镜像对称排列,纵向相邻的两个像素的排列方式均为镜像对称排列或反向排列。
可选的,在所述的AMOLED显示器件中,所述像素矩阵中颜色相同且位置相邻的子像素共用一个OLED图形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的