[发明专利]一种平板探测器防伪影结构及其制作方法有效
申请号: | 201510199012.6 | 申请日: | 2015-04-23 |
公开(公告)号: | CN104851936B | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 周作兴;程丙勋;王杰杰 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/02;H01L31/20 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201201 上海市浦东新区张江*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 平板 探测器 防伪 结构 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及医疗检测领域,特别是涉及一种平板探测器防伪影结构及其制作方法。
背景技术
从1995年RSNA上推出第一台平板探测器(Flat Panel Detector)设备以来,随着近年平板探测技术取得飞跃性的发展,在平板探测器的研发和生产过程中,平板探测技术可分为直接和间接两类。间接FPD的结构主要是由闪烁体或荧光体层加具有光电二极管作用的非晶硅层(amorphous Silicon,a-Si)再加薄膜半导体阵列(Thin Film Transistor array,TFT)构成。
非晶硅X射线平板探测器的成像过程需要经历“X射线”到“可见光”,然后“电荷图像”到“数字图像”的成像转换过程,是一种以非晶硅光电二极管阵列为核心的X射线影像探测器。在X射线照射下探测器的闪烁体或荧光体层将X射线光子转换为可见光,而后由具有光电二极管作用的非晶硅阵列变为图像电信号,通过外围电路积分读出及A/D变换,从而获得数字化图像。非晶硅平板探测器具有成像速度快,良好的空间及密度分辨率,高信噪比,直接数字输出等显著优点。
但是,非晶硅平板探测器在使用时,X射线穿过平板探测器的感光层后,会打到器件上,器件对X射线的反射行为的差异,将使某些器件在图像上显示出来,形成伪影,为医生做出准确的诊断带来困难,容易造成误诊。
为解决非晶硅平板探测器背散射形成的伪影问题,多数厂家在背面垫含铅橡胶或者铅皮。铅对X射线吸收好,属于高密度金属,不易在橡胶中分散。但是随着时间的推移,容易发生富集,橡胶老化,对X射线的吸收和散射变得不均匀,防背散射伪影效果不好。因此,利用纯铅皮的防伪影效果会更好,但是铅皮材质软,容易破损,对装配时的操作要求高。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种平板探测器防伪影结构及其制作方法,用于解决现有技术中铅皮材质软,不易加工和安装的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种平板探测器防伪影结构的制作方法,所述制作方法至少包括:
1)提供一基底,在所述基底表面形成保护层;
2)在所述保护层表面镀铅层。
作为本发明平板探测器防伪影结构的制作方法的一种优化的方案,所述步骤1)中形成保护层之前包括对所述基底进行清洁的步骤。
作为本发明平板探测器防伪影结构的制作方法的一种优化的方案,在所述步骤1)和所述步骤2)之间还包括在所述保护层表面涂敷助焊剂层的步骤。
作为本发明平板探测器防伪影结构的制作方法的一种优化的方案,所述制作方法包括:首先,在所述基底的上下及周围表面形成包覆基底的保护层;然后,在所述保护层的上下及周围表面涂敷助焊剂层;最后镀铅,在镀铅过程中,所述助焊剂离开所述保护层,从而在所述保护层的上下及周围表面形成铅层。
作为本发明平板探测器防伪影结构的制作方法的一种优化的方案,所述基底为铜、镍、或者合金。
作为本发明平板探测器防伪影结构的制作方法的一种优化的方案,所述步骤1)中采用电镀的方式在所述基底表面形成保护层。
作为本发明平板探测器防伪影结构的制作方法的一种优化的方案,所述保护层为镍层。
作为本发明平板探测器防伪影结构的制作方法的一种优化的方案,所述步骤2)中采用热浸的方式在所述保护层的表面镀上铅层,热浸的温度范围为400℃~450℃。
作为本发明平板探测器防伪影结构的制作方法的一种优化的方案,所述铅层的厚度范围为0.05~0.1mm。
本发明还提供一种平板探测器防伪影结构,所述防伪影结构制作于所述平板探测器背面,所述防伪影结构包括:基底、包覆在所述基底表面的保护层,镀在所述保护层表面的铅层。
作为本发明平板探测器防伪影结构的一种优化的方案,所述保护层、铅层从里之外依次包覆整个基底。
作为本发明平板探测器防伪影结构的一种优化的方案,在所述基底的一个表面自下而上依次形成保护层和铅层。
作为本发明平板探测器防伪影结构的一种优化的方案,所述基底的厚度范围为0.2~0.4mm。
作为本发明平板探测器防伪影结构的一种优化的方案,所述保护层的厚度范围为0.5~1.5μm。
作为本发明平板探测器防伪影结构的一种优化的方案,所述铅层的厚度范围为0.05~0.1mm
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的