[发明专利]一种无毛刺表面平滑的镍锌软磁铁氧体材料及其制备方法在审
申请号: | 201510199414.6 | 申请日: | 2015-04-24 |
公开(公告)号: | CN104891978A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 汪义卉 | 申请(专利权)人: | 马鞍山科信咨询有限公司 |
主分类号: | C04B35/26 | 分类号: | C04B35/26;C04B35/622 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 243000 安徽省马鞍山市慈*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 毛刺 表面 平滑 镍锌软 磁铁 材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及软磁铁氧体材料领域,具体涉及一种无毛刺表面平滑的镍锌软磁铁氧体材料及其制备方法。
背景技术
软磁铁氧体属于亚铁磁性材料,目前被广泛用于变压、滤波、电磁兼容等电子设备。其中的镍锌铁氧体由于具有良好的高频特性以及较高的电阻率,被广泛用于电子、通讯领域作为电子变压器和电感器材料。一个优良的电子元器件,除了要有杰出的电性能,还要有优良的耐磨性。目前软磁铁氧体常用的制备方法是干压压制成型,但是这种方法制备的软磁铁氧体表面光滑度不够,还会有毛刺,在使用过程中易出现磨损、掉粉的现象,使用寿命不长,因此需要新的制备方法来满足表面光滑平整的要求。
发明内容
本发明的目的是提供一种无毛刺表面平滑的镍锌软磁铁氧体材料及其制备方法。
为了实现本发明的目的,本发明通过以下方案实施:
一种无毛刺表面平滑的镍锌软磁铁氧体材料及其制备方法,由下列重量份的原料制成:三氧化二铁50-70、氧化亚镍15-20、氧化锌22-30、三氧化二铋0.2-0.5、五氧化二磷0.2-0.6、氧化铂0.1-0.4、羰基铁粉0.3-0.4、氯化聚乙烯6-10、碳粉0.4-1、木质素磺酸钠1-2、有机硅树脂6-9、去离子水适量;
本发明所述一种无毛刺表面平滑的镍锌软磁铁氧体材料及其制备方法,由以下具体步骤制成:
(1)将三氧化二铁、氧化亚镍、氧化锌、碳粉和去离子水加到球磨机中进行湿法球磨混合均匀,球磨时间为6h;
(2)将步骤(1)所得的粉末置于烧结炉中在800-1000°C进行预烧,预烧时间为2-3h;
(3)将步骤(2)所得的粉料按质量比添加三氧化二铋、五氧化二磷、羰基铁粉和氧化铂,并进行第二次球磨,粒径控制在1.5-3微米;
(4)将有机硅树脂用3-6倍重量份的六甲基二硅氧烷稀释,将步骤(3)所得的粉体加到有机硅树脂溶液中,经机械搅拌混合,箱式干燥炉干燥后,加入其余剩余的成分搅拌分散均匀;
(5)将步骤(4)得到的粉体注入模具中,使用热压成型机,压制成固定形状即可。
本发明的优点是:本发明添加碳粉进行预烧,增加了粉料的表面粗糙度,增大了与有机硅树脂的接触面积,从而增强了坯体的致密性、平整性和绝缘性,降低了损耗,采用热压成型的工艺,操作简单,方便,降低了资源的浪费且满足了常规抗电磁干扰的需求,添加的羰基铁粉增强了添加物与铁氧体的相容性,并且提高了材料的磁性,添加的三氧化二铋使晶粒尺寸变大降低孔隙率,并能够提高磁导率和品质因素,添加的五氧化二磷具有促进晶粒生长和致密的作用,添加的氧化铂具有能够降低电阻的作用,本发明制备的镍锌铁氧体坯件表面光滑平整,无毛刺,使用过程中耐磨性好,不容易掉粉,使用时间长,应用前景广泛。
具体实施方式
下面通过具体实例对本发明进行详细说明。
一种无毛刺表面平滑的镍锌软磁铁氧体材料及其制备方法,由下列重量份(公斤)的原料制成:三氧化二铁57、氧化亚镍18、氧化锌27、三氧化二铋0.4、五氧化二磷0.5、氧化铂0.3、羰基铁粉0.3、氯化聚乙烯9、碳粉0.9、木质素磺酸钠1、有机硅树脂9、去离子水适量;
本发明所述一种无毛刺表面平滑的镍锌软磁铁氧体材料及其制备方法,由以下具体步骤制成:
(1)将三氧化二铁、氧化亚镍、氧化锌、碳粉和去离子水加到球磨机中进行湿法球磨混合均匀,球磨时间为6h;
(2)将步骤(1)所得的粉末置于烧结炉中在1000°C进行预烧,预烧时间为3h;
(3)将步骤(2)所得的粉料按质量比添加三氧化二铋、五氧化二磷、羰基铁粉和氧化铂,并进行第二次球磨,粒径控制在2微米;
(4)将有机硅树脂用5倍重量份的六甲基二硅氧烷稀释,将步骤(3)所得的粉体加到有机硅树脂溶液中,经机械搅拌混合,箱式干燥炉干燥后,加入其余剩余的成分搅拌分散均匀;
(5)将步骤(4)得到的粉体注入模具中,使用热压成型机,压制成固定形状即可。
通过上述实施例制得的软磁铁氧体材料的性能数据:
初始磁导率(25±3°C):5994±25%;
功率损耗(100Kc、200mT,KW/m3):549(25±2°C),252(100±2°C);
饱和磁通密度(mT,100°C):428;
居里温度(°C)>236。
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