[发明专利]一种宽温镁铜锌软磁铁氧体磁芯及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510199442.8 申请日: 2015-04-24
公开(公告)号: CN104891979A 公开(公告)日: 2015-09-09
发明(设计)人: 汪义卉 申请(专利权)人: 马鞍山科信咨询有限公司
主分类号: C04B35/26 分类号: C04B35/26;C04B35/622
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 243000 安徽省马鞍山市慈*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 宽温镁铜锌软 磁铁 氧体磁芯 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及软磁铁氧体材料领域,具体涉及一种宽温镁铜锌软磁铁氧体磁芯及其制备方法。

背景技术

    软磁铁氧体属于亚铁磁性材料,作为一款基础元件被广泛用于变压、滤波、电磁兼容等电子设备。随着国家对电子电器设备EMC要求的强制执行,以软磁铁氧体磁芯为主体的EMI电子元器件以其简单实用,阻抗频率特性好、性价比高等特点被大量的使用到各种电子设备中,如电动工具、家电、仪器仪表、电力、通信等。电磁干扰分为传导干扰与辐射干扰,其中辐射干扰产生的频率较高,一般从几兆赫兹到几百兆赫兹,镍锌铁氧体由于具有优良的高频阻抗特性,被广泛的使用。但是随着氧化镍的价格大幅度增长,生产镍锌铁氧体材料的成本也成倍增加,面对日益增加的成本压力,人们在寻求一种可以代替镍锌铁氧体高频抗阻特性的其他材料,其中镁锌材料渐露头角,但是现有的镁锌材料其初始导磁率和阻抗特性还达不到大镍锌材料,在应用上很大的局限性。

发明内容

本发明的目的是提供一种宽温镁铜锌软磁铁氧体磁芯及其制备方法。

为了实现本发明的目的,本发明通过以下方案实施:

一种宽温镁铜锌软磁铁氧体磁芯及其制备方法,由下列重量份的原料制成:三氧化二铁62-68、氧化镁4-7、氧化锌15-20、氧化铜7-10、碳酸锂、羰基铁粉0.2-0.5、碳化钽0.4-0.6、羰基铁粉0.3-0.4、氯化聚乙烯6-10、碳粉0.4-1、木质素磺酸钠1-2、有机硅树脂6-9、去离子水适量;

本发明所述一种宽温镁铜锌软磁铁氧体磁芯及制备方法,由以下具体步骤制成:

(1)将三氧化二铁、氧化镁、氧化锌、氧化铜、碳粉和去离子水加到球磨机中进行湿法球磨混合均匀,球磨时间为6h;

(2)将步骤(1)所得的粉末置于烧结炉中在800-1000°C进行预烧,预烧时间为2-3h;

(3)将步骤(2)所得的粉料按质量比添加碳酸锂、羰基铁粉和碳化钽,并进行第二次球磨,粒径控制在1.5-3微米;

(4)将有机硅树脂用3-6倍重量份的六甲基二硅氧烷稀释,将步骤(3)所得的粉体加到有机硅树脂溶液中,经机械搅拌混合,箱式干燥炉干燥后,加入其余剩余的成分搅拌分散均匀;

(5)将步骤(4)得到的粉体注入模具中,使用热压成型机,压制成固定形状即可。

本发明的优点是:本发明添加碳粉进行预烧,增加了粉料的表面粗糙度,增大了与有机硅树脂的接触面积,从而增强了坯体的致密性、平整性和绝缘性,降低了损耗,采用热压成型的工艺,操作简单,方便,降低了资源的浪费且满足了常规抗电磁干扰的需求,添加的羰基铁粉增强了添加物与铁氧体的相容性,并且提高了材料的磁性,添加的碳化钽在烧结过程中抑制晶粒长大,并能够提高坯件的耐磨性,添加的碳酸锂、羰基铁粉能够降低烧结温度的作用,提高致密性,本发明的软磁铁氧体材料制备方法生产工艺简单、生产效率高、节能、污染少、成品率高。

具体实施方式

下面通过具体实例对本发明进行详细说明。

一种宽温镁铜锌软磁铁氧体磁芯及其制备方法,由下列重量份(公斤)的原料制成:三氧化二铁65、氧化镁6、氧化锌18、氧化铜9、碳酸锂、羰基铁粉0.4、碳化钽0.5、羰基铁粉0.3、氯化聚乙烯8、碳粉0.8、木质素磺酸钠1、有机硅树脂9、去离子水适量;

本发明所述一种宽温镁铜锌软磁铁氧体磁芯及制备方法,由以下具体步骤制成:

(1)将三氧化二铁、氧化镁、氧化锌、氧化铜、碳粉和去离子水加到球磨机中进行湿法球磨混合均匀,球磨时间为6h;

(2)将步骤(1)所得的粉末置于烧结炉中在800-1000°C进行预烧,预烧时间为2-3h;

(3)将步骤(2)所得的粉料按质量比添加碳酸锂、羰基铁粉和碳化钽,并进行第二次球磨,粒径控制在1.5-3微米;

(4)将有机硅树脂用3-6倍重量份的六甲基二硅氧烷稀释,将步骤(3)所得的粉体加到有机硅树脂溶液中,经机械搅拌混合,箱式干燥炉干燥后,加入其余剩余的成分搅拌分散均匀;

(5)将步骤(4)得到的粉体注入模具中,使用热压成型机,压制成固定形状即可。

通过上述实施例制得的软磁铁氧体材料的性能数据:

初始磁导率(25±3°C):5950±25%;

功率损耗(100Kc、200mT,KW/m3):580(25±2°C),246(100±2°C);

饱和磁通密度(mT,100°C):462;

居里温度(°C)>242。

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