[发明专利]一种低本底α、β活度分析仪在审
申请号: | 201510199581.0 | 申请日: | 2015-04-24 |
公开(公告)号: | CN104820230A | 公开(公告)日: | 2015-08-05 |
发明(设计)人: | 安然;陈祥磊;代传波;李清华;郭晓彬;徐卫锋;任才;颜彬 | 申请(专利权)人: | 中国船舶重工集团公司第七一九研究所 |
主分类号: | G01T1/167 | 分类号: | G01T1/167;G01T1/24;G01T1/203 |
代理公司: | 武汉天力专利事务所 42208 | 代理人: | 吴晓颖 |
地址: | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 本底 分析 | ||
1.一种低本底α、β活度分析仪,其特征在于:包括屏蔽铅室、由PIPS半导体探测器与塑料闪烁体构成的反符合探测器、信号处理装置,所述塑料闪烁体底部为井型结构,所述塑料闪烁体与光电倍增管通过塑料闪烁体侧边的开孔端窗面进行耦合,塑料闪烁体与光电倍增管外部用不锈钢外壳包覆,所述不锈钢外壳底部为与塑料闪烁体一致的井型结构,井口中心开有一螺纹孔,PIPS半导体探测器通过其尾部的螺纹旋入不锈钢外壳的螺纹孔中,PIPS半导体探测器的信号线通过螺纹孔引出连接到前置放大电路上,前置放大电路输入输出电源线通过不锈钢外壳的穿孔引出,接入信号处理装置。
2.根据权利要求1所述的低本底α、β活度分析仪,其特征是:所述屏蔽铅室包括上部两层铅屏蔽、前侧壁铅屏蔽、后侧壁铅室、下部两层铅屏蔽及铅室支撑架,所述屏蔽铅室内设有用于抽拉的滑轨,PIPS半导体探测器与塑料闪烁体构成的反符合探测器设置于滑轨上,前侧壁铅屏蔽开有一穿孔,用于安放与塑料闪烁体耦合的光电倍增管,底部两层铅屏蔽放置于支撑架上,整个铅室通过自锁机构连接,上述铅屏蔽均为96%的铅与4%的锑合金材质组成,铅屏蔽内壁贴有黄铜与聚四氟乙烯材料。
3.根据权利要求2所述的低本底α、β活度分析仪,其特征是:所述活度分析仪的样品盘采用抽拉式样品盘,设置于PIPS半导体探测器的正下方,也设置在屏蔽铅室的滑轨上。
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