[发明专利]包括静电放电保护结构的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的半导体主体，

在所述半导体主体的所述第一表面上的第一隔离层，

在所述第一隔离层上的静电放电保护结构，所述静电放电保护结构具有第一端子和不同的第二端子，

所述静电放电保护结构上的第二隔离层，

与所述第一端子电耦合的第一接触结构和与所述第二端子电耦合的第二接触结构，其中所述第一接触结构和所述第二接触结构二者竖直地延伸穿过所述第二隔离层，以及

热耗散结构，所述热耗散结构竖直地延伸穿过所述第二隔离层并且具有与所述静电放电保护结构接触的第一端和与电隔离区接触的第二端，

其中所述热耗散结构与所述第一接触结构和所述第二接触结构不同。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述热耗散结构，所述第一接触结构，和所述第二接触结构包括相同材料。

3.如权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述第二隔离层上的第一电极，所述第一电极电耦合到所述第一接触结构。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一电极的底侧和所述热耗散结构的所述第二端处于相同竖直水平处。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述静电放电保护结构沿着竖直方向的厚度小于1μm。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述热耗散结构沿着横向方向的厚度在100nm到3000nm的范围内。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述热耗散结构沿着竖直方向的厚度与所述静电放电保护结构沿着竖直方向的厚度的比率大于1。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述热耗散结构包括多晶硅。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述热耗散结构包括与所述静电放电保护结构接触的金属硅化物层。

10.一种半导体器件，包括：

具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的半导体主体，

在所述半导体主体的所述第一表面上的第一隔离层，

在所述第一隔离层上的静电放电保护结构，所述静电放电保护结构具有第一端子和第二端子，

热耗散结构，所述热耗散结构具有与所述静电放电保护结构接触的第一端和与电隔离区接触的第二端，

其中所述静电放电保护结构包括多个二极管的串联连接。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述静电放电保护结构包括具有沿着横向方向交替布置的相反导电类型的第一和第二区的在所述第一隔离层上的多晶硅层。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述多晶硅层包括低温多晶硅和连续晶粒硅中的至少一个。

13.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述第一和第二区中的每个包括第一导电类型的第一掺杂剂，并且所述第二区还包括过度补偿所述第一掺杂剂的第二导电类型的第二掺杂剂。

14.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述热耗散结构包括相互电隔离的至少两个热耗散元件，并且每个与所述第一和第二区中的仅一个接触。

15.一种半导体器件，包括：

具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的半导体主体，

在所述半导体主体的所述第一表面上的第一隔离层，

在所述第一隔离层上的静电放电保护结构，所述静电放电保护结构具有第一端子和第二端子，

热耗散结构，所述热耗散结构具有与所述静电放电保护结构接触的第一端和与电隔离区接触的第二端，

其中所述静电放电保护结构包括具有沿着横向方向交替布置的相反导电类型的第一和第二区的在所述第一隔离层上的多晶硅层,

其中所述热耗散结构包括相互电隔离的至少两个热耗散元件，并且每个与所述第一和第二区中的仅一个接触，以及

其中所述热耗散元件包括多晶硅并且与所述第一区中的至少两个接触，所述热耗散元件和所述第一区具有相同导电类型。

16.如权利要求14所述的半导体器件，其中所述热耗散元件与所述第一区中的所有接触。

17.如权利要求14所述的半导体器件，其中所述热耗散元件与所述第一区和所述第二区中的所有接触。