[发明专利]具有掺杂的中间层的金属-半导体接触件结构

权利要求书

1.一种形成器件的方法，包括：

在半导体衬底的顶面上形成绝缘层，目标区设置在所述半导体衬底的顶面处；

穿过所述绝缘层蚀刻开口，所述开口暴露所述目标区的部分的顶面，所述蚀刻包括在所述开口的表面上生成蚀刻副产物；

在所述开口中形成掺杂的金属氧化物中间层并且所述掺杂的金属氧化物中间层接触所述目标区的所述顶面，其中，形成所述掺杂的金属氧化物中间层包括在所述蚀刻副产物上方形成金属氧化物中间层，所述蚀刻副产物并入到所述金属氧化物中间层内；以及

用金属插塞填充所述开口的剩余部分，所述掺杂的金属氧化物中间层设置在所述金属插塞和所述半导体衬底之间以减小费米能级钉扎和隧穿过中间层-半导体势垒的电阻。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻副产物包括第一掺杂剂，并且其中，来自所述蚀刻副产物的所述第一掺杂剂掺杂所述金属氧化物中间层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述掺杂的金属氧化物中间层包括将第一掺杂剂注入至所述金属氧化物中间层内。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述掺杂的金属氧化物中间层包括由氧化锡、氧化钛或氧化锌中的一种形成所述金属氧化物中间层。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述绝缘层之前，在所述半导体衬底上形成晶体管，其中，所述目标区是所述晶体管的源极或漏极。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述掺杂的金属氧化物中间层包括形成掺杂有氟的金属氧化物中间层。

7.一种形成器件的方法，包括：

在半导体衬底的顶面上形成绝缘层，所述半导体衬底具有形成在所述半导体衬底中的至少一个有源器件，所述至少一个有源器件的目标区设置在所述半导体衬底的顶面处；

穿过所述绝缘层蚀刻开口，所述开口暴露所述目标区，所述蚀刻包括在所述开口的表面上生成蚀刻副产物；

在所述开口中形成金属氧化物中间层并且所述金属氧化物中间层接触所述目标区，其中，所述蚀刻副产物并入到所述金属氧化物中间层内；

用第一掺杂剂掺杂所述金属氧化物中间层，其中，掺杂所述金属氧化物中间层形成掺杂氟的金属氧化物中间层；

在所述开口中形成粘附层，并且所述粘附层设置在掺杂的所述金属氧化物中间层上方；

在所述开口中并且在所述粘附层上方形成金属插塞，掺杂的所述金属氧化物中间层设置在所述金属插塞和所述半导体衬底之间；以及

在所述绝缘层的顶面上方形成重分布层(RDL)，所述重分布层的金属部件与所述金属插塞电接触。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述金属氧化物中间层包括由氧化锡、氧化钛或氧化锌中的一种形成所述金属氧化物中间层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成掺杂的所述金属氧化物中间层包括将第一掺杂剂注入所述金属氧化物中间层内。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，注入所述第一掺杂剂包括在所述金属氧化物中间层中注入氟。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括在形成所述绝缘层之前，在所述半导体衬底上形成晶体管，其中，所述目标区是所述晶体管的源极或漏极；

其中，所述目标区掺杂有不同于所述第一掺杂剂的第二掺杂剂；并且

其中，所述目标区不含硅化物。