[发明专利]存储器件及包括存储器件的存储系统

说明书

一种存储器件，包括非易失性存储器电路，其适合储存系统硬修复数据；暂时存储器电路，其适合储存系统软修复数据；系统寄存器电路，其适合在启动操作期间接收和储存系统硬修复数据或系统软修复数据；以及存储体，其适合基于储存在系统寄存器电路中的第一数据进行修复操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年7月30日提交的韩国专利申请No.10-2014-0097252的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及存储器件及包括存储器件的存储系统，更具体而言涉及存储器件的修复操作及包括存储器件的存储系统。

背景技术

图1是示出一般存储器件、例如动态随机存取存储器(DRAM)器件中的修复操作的框图。

存储器件可包括多个存储体，图1示出其一个实例。参见图1，存储器件包括存储器阵列110，其具备多个存储器单元；行电路120，其用于激活基于行地址R_ADD选中的字线；以及列电路130，其用于访问(指读取或写入)基于列地址C_ADD选中的位线的数据。

行熔丝电路140储存与存储器阵列110的存储器单元之中的缺陷存储器单元相对应的行地址的修复行地址REPAIR_R_ADD。行比较器150将储存在行熔丝电路140中的修复行地址REPAIR_R_ADD与从存储器件外部输入的行地址R_ADD相比较。当修复行地址REPAIR_R_ADD与行地址R_ADD相同时，行比较器150对行电路120进行控制以激活冗余字线，而不激活基于行地址R_ADD指定的字线。总之，用冗余行(即冗余字线)来替换与储存在行熔丝电路140中的修复行地址REPAIR_R_ADD相对应的行(即字线)。

图1所示的信号RACT响应于用于激活存储器阵列110中的字线的激活命令而被使能，且信号RACT响应于用于去激活字线的预充电命令而被禁止。此外，“IRD”代表读取命令，“IWR”则为写入命令。

行熔丝电路140一般使用激光熔丝。激光熔丝根据激光熔丝是否切断而储存逻辑高电平的数据或逻辑低电平的数据。激光熔丝可在晶片阶段被编程，不过一旦半导体晶片放入半导体封装中，激光熔丝则无法被编程。此外，由于减小节距长度的技术限制，难以将激光熔丝设计成小于给定尺寸。

为减轻此类问题，如在美国专利第6940751、6777757、6667902、7173851及7269047号中公开的，存储器件可包括非易失性存储器，诸如电熔丝阵列电路、NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、磁阻随机存取存储器(MRAM)、自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)、电阻式随机存取存储器(ReRAM)、相变随机存取存储器(PC RAM)等，并在非易失性存储器中储存修复数据，例如修复地址。

图2是示出用于在存储器件中储存修复数据的非易失性存储器电路的框图。

参见图2，存储器件包括多个存储体BK0至BK3、寄存器210_0至210_3、以及非易失性存储器电路201。寄存器210_0至210_3分别被提供用于存储体BK0至BK3以储存修复数据。

非易失性存储器电路201取代图1所示的行熔丝电路140。非易失性存储器电路201储存用于存储体BK0至BK3的修复数据，例如修复地址。非易失性存储器电路201可为诸如电熔丝阵列电路、NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、磁阻随机存取存储器(MRAM)、自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)、电阻式随机存取存储器(ReRAM)、相变随机存取存储器(PC RAM)等非易失性存储器中的一种。