[发明专利]负电压基准电路无效

专利信息
申请号: 201510201093.9 申请日: 2015-04-24
公开(公告)号: CN104808737A 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 任罗伟;王成;于宗光;俞小平 申请(专利权)人: 无锡中微爱芯电子有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 曹祖良;朱建均
地址: 214028 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 电压 基准 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电压基准电路,特别是涉及一种负电压基准电路。

背景技术

电压基准电路在模拟集成电路中是一个非常重要的模块,该模块为电路中的其他模块提供精准的电压。随着电路技术的发展,系统的日益复杂,电压域的增多,一个电路系统中,需要用到多种不同的电压基准。在同一个电压域中常把带隙基准电压通过电阻网络或倍压方式,实现多种各种不同的基准电压,但当电路中需要正电压基准及负电压基准时,采用该种方法无法实现,必须要设计两套带隙基准,才能满足要求。也就是说,现有电路中只设计一套带隙基准的话,无法实现电压基准由正电压域到负电压域的转换。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中存在的不足,提供一种负电压基准电路,该负电压基准电路采用两个差分运算放大器,及电阻网络,实现了电压基准由正电压域到负电压域的转换。电路中仅需设计一套带隙基准电压,既可实现全电压域的基准电压。本发明采用的技术方案是:

一种负电压基准电路,包括:两个串联的电阻,在该两个串联的电阻连接的节点上设一零电位,在第一个电阻非串联连接节点的另一端设一正基准电压,从第二个电阻非串联连接节点的另一端获取负基准电压。

上述负电压基准电路,具体包括运算放大器U1和U2,电阻R1、R2、R3和R4,PMOS管M1和NMOS管M2;

电阻R2为上述两个串联的电阻中的第一个电阻,电阻R3为上述两个串联的电阻中的第二个电阻;

运算放大器U1的同相输入端接正基准电压+Vref,输出端接PMOS管M1的栅极,PMOS管M1的源极接正电源电压VCC,漏极接电阻R1的一端;运算放大器U1的反相输入端接电阻R1的另一端和电阻R2的一端;电阻R2的另一端接电阻R3的一端和运算放大器U2的反相输入端;运算放大器U2的同相输入端接地;电阻R3的另一端接电阻R4的一端,电阻R4的另一端接NMOS管M2的漏极;NMOS管M2的栅极接运算放大器U2的输出端,源极接负电源电压Vee;

从电阻R3与R4连接的那一端获得负基准电压-Vref。

进一步地,所述电阻R2为可变电阻。

本发明的优点在于:

1)能够实现基准电压由正电压域到负电压域的转换。

2)通过调节R2电阻,可以实现多种不同的负基准电压。

3)电路中仅需设计一套带隙基准电压,既可实现全电压域的基准电压。

附图说明

图1为本发明的结构组成示意图。

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。

本发明提出的负电压基准电路,如图1所示,包括运算放大器U1和U2,电阻R1、R2、R3和R4,PMOS管M1和NMOS管M2;

运算放大器U1的同相输入端接正基准电压+Vref,输出端接PMOS管M1的栅极,PMOS管M1的源极接正电源电压VCC,漏极接电阻R1的一端;运算放大器U1的反相输入端接电阻R1的另一端和电阻R2的一端;电阻R2的另一端接电阻R3的一端和运算放大器U2的反相输入端;运算放大器U2的同相输入端接地;电阻R3的另一端接电阻R4的一端,电阻R4的另一端接NMOS管M2的漏极;NMOS管M2的栅极接运算放大器U2的输出端,源极接负电源电压Vee;

从电阻R3与R4连接的那一端获得负基准电压-Vref。

上述正基准电压+Vref为正的带隙基准电压。

运算放大器U1和U2都是差分运算放大器。

根据图1的电路逻辑,考虑U1以及U2各自的两输入端间“虚短”,A节点电压为正基准电压+Vref,B节点电压为GND,由于流经R2、R3电阻上的电流完全相同,可以得到-Vref=R3/R2*(+Vref),实现正电压基准到负电压基准的转换,调整R2的电阻阻值,既可实现多种不同的负基准电压。

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