[发明专利]具有宽微调范围的参考缓冲器

权利要求书

1.一种可编程参考缓冲器，包括：

包括处于共漏极结构中的第一晶体管和第二晶体管的堆叠源极跟随器；

分离所述第一晶体管与第二晶体管的通路器件，其中所述通路器件包括可选择的二极管连接的晶体管和对应于可选择的二极管连接的晶体管的开关，其中每个开关连接在相应的可选择的二极管连接的晶体管的栅极和该相应的可选择的二极管连接的晶体管的漏极之间；和

具有用于根据在所述通路器件的第一端子和第二端子提供的参考电压，选择一个或多个二极管连接的晶体管以用作所述通路器件一部分的输出控制信号的控制器。

2.如权利要求1所述的可编程参考缓冲器，其中所述一个或多个二极管连接的晶体管包括具有不同阈值电压以提供不同参考电压微调范围的二极管连接的晶体管。

3.如权利要求2所述的可编程参考缓冲器，其中与不同阈值电压相关的二极管连接的晶体管至少部分由具有不同宽度的二极管连接的晶体管提供。

4.如权利要求3所述的可编程参考缓冲器，其中不同参考电压微调范围包括参考电压的不同范围，对应二极管连接的晶体管配置成在所述通路器件的所述第一端子和第二端子维持基本相同的偏置电流通过所述通路器件。

5.如权利要求2所述的可编程参考缓冲器，其中具有不同阈值电压的二极管连接的晶体管部分地由其阈值电压被以下各项中的一个或多个影响的二极管连接的晶体管提供：体效应、通道长度、压力、井邻近效应和栅偏置。

6.如权利要求1所述的可编程参考缓冲器，其中：

所述二极管连接的晶体管包括与不同参考电压微调范围相关的二极管连接的晶体管的组；和

根据提供的参考电压选择所述二极管连接的晶体管中的一个或多个包括确定提供的参考电压落入的不同参考电压微调范围和对应于所确定的参考电压微调范围，选择二极管连接的晶体管的组。

7.如权利要求6所述的可编程参考缓冲器，其中与不同阈值电压相关的二极管连接的晶体管的组包括并联的一个或多个二极管连接的晶体管的一个或多个组。

8.如权利要求7所述的可编程参考缓冲器，其中并联的一个或多个二极管连接的晶体管具有基本相同的宽度。

9.如权利要求7所述的可编程参考缓冲器，其中所述控制器的所述控制信号控制开关以选择所述二极管连接的晶体管中的一个或多个用作所述通路器件的一部分。

10.如权利要求9所述的可编程参考缓冲器，其中所述开关不在所述二极管连接的晶体管的信号路径中。

11.如权利要求9所述的可编程参考缓冲器，其中没被选择以用作所述通路器件一部分的所述二极管连接的晶体管中的一个或多个被切换工作在截止区。

12.如权利要求11所述的可编程参考缓冲器，其中没被选用的一个或多个二极管连接的晶体管使用在偏置电压与没被选用的一个或多个二极管连接的晶体管的栅极间的下拉开关切换。

13.如权利要求1所述的可编程参考缓冲器，其中所述二极管连接的晶体管包括以下的一个或多个：二极管连接的n通道金属氧化半导体场效应晶体管和二极管连接的p通道金属氧化半导体场效应晶体管。

14.如权利要求1所述的可编程参考缓冲器，其中所述第一晶体管是n通道金属氧化半导体场效应晶体管，并且所述第二晶体管是p通道金属氧化半导体场效应晶体管。

15.如权利要求1所述的可编程参考缓冲器，其中

所述通路器件的所述第一端子被连接到所述第一晶体管的源极；和

所述通路器件的所述第二端子被连接到所述第二晶体管的源极。