[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板的上方连续沉积非晶硅薄膜和保护层薄膜；

对所述非晶硅薄膜进行退火处理，以使得所述非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜；

对所述多晶硅薄膜和所述保护层薄膜进行一次构图工艺，将所述多晶硅薄膜图案化为有源层，所述保护层薄膜图案化为保护层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述对所述多晶硅薄膜和所述保护层薄膜进行一次构图工艺的步骤之后还包括：

在所述保护层的上方形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层的上方形成栅极；

在所述栅极的上方形成钝化层；

在所述钝化层、所述栅绝缘层和所述保护层上对应所述有源层的两端位置分别形成第一过孔和第二过孔；

在所述钝化层上形成源极和漏极，所述源极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板的上方连续沉积非晶硅薄膜和保护层薄膜的步骤之前还包括：

在所述衬底基板的上方形成缓冲层。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，所述在衬底基板的上方连续沉积非晶硅薄膜和保护层薄膜的步骤之前还包括：

在所述衬底基板的上方形成栅极；

在所述栅极的上方形成栅绝缘层；

所述对所述多晶硅薄膜和所述保护层薄膜进行一次构图工艺的步骤之后还包括：

在所述保护层上对应所述有源层的两端位置分别形成第三过孔和第四过孔；

在所述保护层上形成源极和漏极，所述源极通过所述第三过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第四过孔与所述有源层连接。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述对所述非晶硅薄膜进行退火处理的步骤之前还包括：

对所述非晶硅薄膜进行高温脱氢处理。

6.根据权利要求1-5中任一所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅。

7.根据权利要求1-5中任一所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述保护层的厚度为：30nm～40nm。

8.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：形成于衬底基板上方的有源层和形成于所述有源层上方的保护层，所述保护层的图形与所述有源层的图形相同。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括：

在所述保护层的上方形成的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层的上方形成的栅极；

在所述栅极的上方形成的钝化层；

所述钝化层、所述栅绝缘层和所述保护层上对应所述有源层的两端位置分别形成有第一过孔和第二过孔，在所述钝化层的上方形成的源极和漏极，所述源极通过第一过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括：

在所述衬底基板的上方形成的栅极；

在所述栅极的上方形成的栅绝缘层；

所述保护层上对应所述有源层的两端位置分别形成有第三过孔和第四过孔，所述保护层的上方形成的源极和漏极，所述源极通过所述第三过孔与所述有源层连接，所述漏极通过所述第四过孔与所述有源层连接。

11.根据权利要求8-10中任一所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅。

12.根据权利要求8-10中任一所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述保护层的厚度为：30nm～40nm。

13.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求8-12中任意一项所述的薄膜晶体管。

14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求13所述的阵列基板。