[发明专利]银‑锗‑铜复合结构器件及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种银-锗-铜复合结构器件，包括衬底，其特征在于：

所述衬底为铜网，所述铜网的表面和网孔壁上构筑有锗纳米线，所述锗纳米线上修饰有银纳米颗粒；

所述铜网的网孔直径为35～45μm；

所述锗纳米线的线直径为100～150nm、线长为5～15μm；

所述银纳米颗粒的粒径为15～35nm。

2.一种权利要求1所述银-锗-铜复合结构器件的制备方法，包括化学气相沉积法，其特征在于主要步骤如下：

步骤1，先将铜网置于溅射仪中的金靶1.5～2.5cm处，于溅射电流15～25mA下溅射1.5～2.5min，得到其表面和网孔壁上蒸镀有金纳米颗粒的铜网，再使用化学气相法于其表面和网孔壁上蒸镀有金纳米颗粒的铜网上生长锗纳米线，得到其表面和网孔壁上构筑有锗纳米线的铜网；

步骤2，使用溅射仪于其表面和网孔壁上构筑有锗纳米线的铜网上溅射银纳米颗粒，制得银-锗-铜复合结构器件。

3.根据权利要求2所述的银-锗-铜复合结构器件的制备方法，其特征是于铜网上溅射金纳米颗粒前，先对其依次使用乙醇和去离子水超声清洗。

4.根据权利要求3所述的银-锗-铜复合结构器件的制备方法，其特征是使用化学气相法生长锗纳米线的过程为，将其表面和网孔壁上蒸镀有金纳米颗粒的铜网置于锗烷与氩气的混合气氛、310～350℃下保温至少30min，其中，锗烷与氩气的混合气氛为流量3.5～4.5mL/min的锗烷与60mL/min的氩气的混合气体。

5.根据权利要求3所述的银-锗-铜复合结构器件的制备方法，其特征是溅射银纳米颗粒的过程为，将其表面和网孔壁上构筑有锗纳米线的铜网置于溅射仪中的银靶1.5～2.5cm处，于溅射电流15～25mA下溅射7～8min。

6.一种权利要求1所述银-锗-铜复合结构器件的用途，其特征在于：

将银-锗-铜复合结构器件作为表面增强拉曼散射的活性基底，使用激光拉曼光谱仪测量其上附着的罗丹明6G或甲基对硫磷或腺嘌呤或6-氨基青霉烷酸或青霉素G钠的含量。

7.根据权利要求6所述的银-锗-铜复合结构器件的用途，其特征是将银-锗-铜复合结构器件置于10^-5～10^-9mol/L的腺嘌呤溶液或6-氨基青霉烷酸分子溶液或青霉素G钠溶液的表面，且于腺嘌呤溶液或6-氨基青霉烷酸分子溶液中的正电极与连接银-锗-铜复合结构器件的铜网的负电极间施加-1V的电压或于青霉素G钠溶液中的正电极与连接银-锗-铜复合结构器件的铜网的负电极间施加1V的电压所构成的组件作为表面增强拉曼散射的活性基底。

8.根据权利要求6或7所述的银-锗-铜复合结构器件的用途，其特征是激光拉曼光谱仪的激发波长为532nm、输出功率为0.2～0.4mW、积分时间为3～7s。