[发明专利]一种单晶石榴石厚膜的制备方法

权利要求书

1.一种单晶石榴石厚膜的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：准确称量Tm₂O₃、Ga₂O₃、Fe₂O₃、Bi₂O₃原料，其中，Tm₂O₃、Ga₂O₃、Fe₂O₃、Bi₂O₃的摩尔比为1：1：9.62：52.12；混料；熔料；

步骤2：清洗基片；

步骤3：将步骤2清洗后的基片放入熔体中，控制基片转速为60转/分，在935℃降到930℃的过程中生长薄膜，生长完成后，清洗去除残留，得到本发明所述单晶石榴石厚膜。

2.根据权利要求1所述的单晶石榴石厚膜的制备方法，其特征在于，步骤1的具体过程为：准确称量Tm₂O₃、Ga₂O₃、Fe₂O₃、Bi₂O₃原料，其中，Tm₂O₃、Ga₂O₃、Fe₂O₃、Bi₂O₃的摩尔比为1：1：9.62：52.12；研磨混合后置于铂坩埚中，在1050～1080℃下熔化20～24h，然后在950～960℃下搅拌10～12h，混合均匀，得到熔体。

3.根据权利要求1所述的单晶石榴石厚膜的制备方法，其特征在于，步骤2所述基片为钆镓石榴石基片，清洗基片的具体过程为：将钆镓石榴石基片依次在去离子水中超声清洗两次、在丙酮中超声清洗两次、在酒精中超声清洗两次；然后在体积比为1:1的浓硫酸和硝酸的混合液中煮沸10～30min；最后采用去离子水冲洗基片3～5次，烘干备用。

4.根据权利要求1所述的单晶石榴石厚膜的制备方法，其特征在于，步骤3的具体过程为：将步骤2清洗后的基片放入熔体中，控制基片转速为60转/分，在由935℃降到930℃的过程中生长薄膜，生长完成后，将基片快速提离熔体液面；将上步得到的基片以180～200转/分的速率高速旋转，以甩掉基片上的残留熔体，然后从外延炉中缓慢取出基片以避免由于热膨胀引起的薄膜开裂；最后将得到的带薄膜的基片在热醋酸中清洗以去除残留的助熔剂，得到本发明所述单晶石榴石厚膜。

5.根据权利要求1所述的单晶石榴石厚膜的制备方法，其特征在于，所述由935℃降到930℃的过程中的降温速率为0.08～0.1℃/min。

6.权利要求1至5中任一项所述方法得到的单晶石榴石厚膜作为磁光薄膜应用于磁光器件中。