[发明专利]一种独蒜兰假鳞茎培育方法

说明书

技术领域

本发明涉及植物种植培养技术领域，具体涉及到一种独蒜兰假鳞茎培育方法。

背景技术

独蒜兰(Pleione bulbocodioides)又名一叶兰，兰科独蒜兰属植物，花朵较大，花形奇特，色彩艳丽，花期长，具有较高的观赏价值。独蒜兰的假鳞茎是其养分储藏最重要的器官，直接影响其开花质量和子代的质量。干燥的假鳞茎中药称冰球子，可清热解毒，抗癌治癌，是一味重要的中药成分。

独蒜兰的假鳞茎新老更替是其自然条件下无性繁殖的主要方式和途径，独蒜兰属的假鳞茎与其他兰科植物不同，其当年形成的蒜头状假鳞茎下位常带有1个幼芽，自然条件下幼芽在来年春季适当的气候条件下，芽体基部与母鳞茎连接处长出即将发育的新鳞茎的根系，即开始生长，芽体则生长发育出叶和花，叶形成和植株开花后，叶基部快速形成新假鳞茎，假鳞茎形成初期较小，假鳞茎继续生长膨大形成当年生新鳞茎，假鳞茎经过夏秋两季的发育进而形成一个完整具有繁殖功能的的新植株，延续物种。上年的老鳞茎则不再发叶，仅为新鳞茎的生长提供养分支持。

对于具有明显养分储藏器官的植物，如大蒜、百合、唐菖蒲等植物，施肥通常是以有机肥为主，追肥为辅，且追肥遵循薄肥勤施的原则。独蒜兰属于兰科植物，发明人发现，土壤中的兰菌等是影响其生存、生长的关键微生物，如果按上述植物一样施用有机肥，尤其是高浓度的有机肥，会破坏兰菌的居群，直接影响独蒜兰的存活与生长，所以现有技术的施肥方法不能适用于独蒜兰，必需研究出适合独蒜兰的科学施肥方法。

从独蒜兰的野生生境来看，成片的植株常生长于沟谷旁有泥土的石壁上，石壁上的土壤是由风化的岩石形成的，土层厚度较浅，不是最优的培养条件，但其优质假鳞茎最大鲜重约4g，干重1.2g。其假鳞茎形状近独蒜形状，不规则，最大假鳞茎高度约4.4cm，假鳞茎最大部位直径约1.9cm，表明其具有较高的养分积累和储藏能力，假鳞茎的可塑性较高。

鉴于独蒜兰假鳞茎较高的药用价值和较高形状可塑性等特点，假鳞茎具有巨大市场前景，因此，研究培育优质独蒜兰假鳞茎的方法将成为独蒜兰培育的重要栽培技术之一。

发明内容

本发明的目的是提供一种独蒜兰假鳞茎培育方法。

为达上述目的，本发明的一个实施例中提供了一种独蒜兰假鳞茎培育方法，包括以下步骤：

((1)、对开始生长前的独蒜兰植株施底肥；即将具有繁殖能力的前一年独蒜兰假鳞茎种植在合适土壤内后，独蒜兰假鳞茎的幼芽在发育前开始施底肥，为其提供营养。

(2)、施追肥：施底肥后施追肥，并使用植物生长素浇灌植株，将其培养至盛花期；追肥施肥量为尿素0.1g/株～1g/株、硫酸钾1g/株～10g/株和硝酸钙0.1g/株～1g/株；

(3)、盛花期施肥：对进入盛花期的独蒜兰植株施用二阶段肥料，间断施肥时长为25天～35天，每次施肥量为尿素0.1g/株～0.3g/株、磷酸二氢钾0.2g/株～0.6g/株、硼砂1g/株～3g/株；

(4)、生长期施肥：对花期结束进入新假鳞茎形成生长期的独蒜兰植株施用三阶段肥料，施肥量为尿素0.05g/株～0.15g/株、磷酸二氢钾0.1g/株～0.3g/株、硝酸钙0.01g/株～0.05g/株、硝酸镁0.008g/株～0.012g/株和硫酸锌0.008g/株～0.012g/株。

底肥可以为植株提供必要的生长元素，底肥为钙镁磷肥，施底肥的施肥量为10g/株～20g/株。

植物生长素可以促进植物细胞分裂，诱导形成根，可以为α-萘乙酸或者其他植物生长素，每株使用量为0.03ug～0.08ug。

本发明的施肥周期是指，两次施肥的间隔时间。例如，施底肥2天～4天后施3次追肥，施追肥的周期为6天～8天；即为第一次施追肥和第二次施追肥的间隔时间为6～8天，第二次施追肥和第三次施追肥的间隔时间也为6～8天。

盛花期施肥步骤中，施肥时长为28天，每隔7天施一次肥。盛花期的植株有花朵形成，独蒜兰的花期在一个月左右，每隔7天施一次肥，提供营养供给，并保证菌群不会失调。

独蒜兰在花期结束后进入假鳞茎的生长期，生长期施肥步骤中，施肥周期为10天，即可以每隔10天施一次肥。