[发明专利]一种基于柔性衬底材料氧化锌薄膜晶体管的制备方法有效

专利信息
申请号: 201510205191.X 申请日: 2015-04-28
公开(公告)号: CN104934329B 公开(公告)日: 2017-03-22
发明(设计)人: 杨小天;王超;高晓红;赵春雷;郭亮;迟耀丹;初学峰;常玉春;朱慧超;杨佳;吕卅;王锐;任伟 申请(专利权)人: 吉林建筑大学
主分类号: H01L21/34 分类号: H01L21/34
代理公司: 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司22100 代理人: 魏征骥
地址: 130118 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 柔性 衬底 材料 氧化锌 薄膜晶体管 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于柔性衬底材料氧化锌薄膜晶体管的制备方法,其特征在于包括下列步骤:

(一)硬质衬底和柔性衬底的清洗、吹干、烘干;所述硬质衬底材料为玻璃、硅片、或不锈钢片,所述柔性衬底材料为聚酰亚胺PI;

(二)衬底粘合,所述衬底粘合材料为光刻胶;

(三)栅极材料沉积,所述栅极材料为铝,采用电子束蒸发方法EB制备;

(四)绝缘层材料沉积,所述绝缘层材料为SiO2,采用离子体增强化学气相沉积方法生长;

(五)氧化锌沟道层材料沉积,所述沟道层材料为ZnO,方法采用射频磁控溅射;

(六)源漏电极沉积,所述源漏电极材料为铝,利用光刻剥离技术,沉积方法采用真空蒸镀、电子束蒸发。

2.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底材料氧化锌薄膜晶体管的制备方法,其特征在于:所述步骤(一)将硬质衬底,25mm*25mm和柔性衬底聚酰亚胺2,20mm*20mm分别清洗,方法是:

(1)先将其放入丙酮溶液中在室温下超声清洗4分钟—6分钟,去除表面分子型沾污等;

(2)然后置于乙醇溶液中在室温下超声清洗3—5分钟,去除表面残余丙酮;

(3)再用去离子水在室温下超声清洗3—5分钟,去除残余乙醇及离子型沾污;

(4)高纯氮气吹干,烘干炉90℃下干燥3—5分钟。

3.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底材料氧化锌薄膜晶体管的制备方法,其特征在于:所述步骤(二)衬底粘合包括:将硬质衬底固定在匀胶仪上,在硬质衬底中间位置滴光刻胶一,0.2ml—0.5ml,将清洗好的柔性材料衬底聚酰亚胺,置于光刻胶一上面,待玻璃衬底与柔性衬底通过光刻胶一全部接触后,启动匀胶仪,转速450—550转/分钟,时间30秒—120秒,使光刻胶一均匀铺在柔性衬底与硬质衬底之间,从而使柔性衬底与硬质衬底紧紧粘合在一起,柔性衬底被平整固定在硬质衬底表面,形成样品一。

4.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底材料氧化锌薄膜晶体管的制备方法,其特征在于:所述步骤(三)栅极材料沉积包括:将样品一放入电子束蒸发装置生长室中,放置方向为柔性衬底朝下,用电子束蒸发方法镀铝在柔性衬底上作为栅极4,完成后,依次将其放入丙酮溶液、乙醇、去离子水中超声清洗3-5分钟,用去离子水冲洗,N2吹干,在此过程中,光刻胶一溶于丙酮溶液,从而,硬质衬底与其他部分分离开来。形成样品二。

5.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底材料氧化锌薄膜晶体管的制备方法,其特征在于:所述步骤(四)绝缘层材料沉积包括:取4英寸洁净硅片,将样品二放置在硅片上面中间位置,样品二吸附于硅片表面,将带有样品二的硅片置于PECVD生长室底座。为避免绝缘层沉积过程中样品二受热发生卷曲、翘角等现象,影响绝缘层生长,取清洗干净的不锈钢片制成的模具一,模具一为方框形,内径15mm,框宽5mm,将模具一压在样品二上面,俯沉积二氧化硅绝缘层,形成样品三。

6.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底材料氧化锌薄膜晶体管的制备方法,其特征在于:所述步骤(五)氧化锌沟道层材料沉积包括,将样品三分别放入丙酮、乙醇、去离子水中依次超声清洗3-5分钟,再用去离子水冲洗,N2吹干,烘干炉90℃下干燥3—5分钟,将其置于磁控溅射仪的溅射台托盘上,上压模具二,内径为12mm,小于模具一内尺寸3mm,框宽为10mm,用螺丝将其固定在溅射台托盘上,悬挂托盘,沉积氧化锌沟道层,将其从托盘中取出,得到样品四。

7.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底材料氧化锌薄膜晶体管的制备方法,其特征在于:所述步骤(六)源漏电极沉积包括,

(1)清洗,按照步骤(一)所述清洗方法,将样品四进行清洗;

(2)固定,按照步骤(二)所述粘合方法,利用光刻胶二将清洗后的样品四固定在硬质衬底表面,形成样品五;

(3)光刻-剥离方法,把沟道层刻蚀出多个制作单一薄膜晶体管器件的小岛区域,在小岛区域内的沟道层上刻蚀出源、漏电极区,在源、漏电极区沉积源、漏电极,具体如下:

①涂胶,将样品五固定在匀胶仪上,旋转,涂有反转特性的光刻胶三,转速500-1300转/分钟,时间3—5分钟,使光刻胶均匀地涂覆在沟道层的表面;

②前烘,90℃下前烘、坚膜9分钟;

③曝光,用光刻版一14覆盖,放置于曝光机下曝光,此时,图形覆盖部分,未受到光照,其余部分曝光;

④显影,将其置于显影液中,曝光部分对应的光刻胶三溶于显影液,被去除,露出氧化锌;

⑤腐蚀,用千分之一盐酸腐蚀,未被光刻胶保护的部分,即氧化锌部分被腐蚀掉,露出绝缘层二氧化硅,形成样品六;

⑥去胶,将样品六放入丙酮、乙醇、去离子水中依次超声清洗3-5分钟,光刻胶二、三溶于丙酮从而被剥离掉;

⑦二次光刻,按照步骤(二)所述粘合方法,利用光刻胶四将清洗去胶后的样品六固定在硬质衬底表面;

涂胶,按照步骤①所述方法,旋涂有反转特性的光刻胶五;

前烘,90℃下前烘,坚膜9分钟;

曝光,用光刻版二17覆盖,对版后,图形与氧化锌重叠,俯视;

曝光后烘,110℃下加热9分钟,有反转特性的光刻胶五变成负胶;

裸曝光;

显影,放入显影液中,负胶未曝光部分被显影液溶掉,曝光部分保留;

用去离子水冲洗,形成样品七,得到即将沉积源、漏电极的区域;

⑧沉积源、漏电极,按照步骤2所述粘合方法,将样品七固定在硬质衬底上,放入电子束蒸发设备EB中,沉积源/漏电极金属铝;

⑨去胶,放入丙酮溶液浸泡1小时—2小时,超声2-3分钟,光刻胶四溶于丙酮从而硬质衬底被分离掉,沟道层表面光刻胶五连同其上的电极被丙酮去除,露出沟道层,再用乙醇、去离子水冲洗干净,N2气吹干。

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