[发明专利]一种基于柔性衬底材料氧化锌薄膜晶体管的制备方法有效
申请号: | 201510205191.X | 申请日: | 2015-04-28 |
公开(公告)号: | CN104934329B | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | 杨小天;王超;高晓红;赵春雷;郭亮;迟耀丹;初学峰;常玉春;朱慧超;杨佳;吕卅;王锐;任伟 | 申请(专利权)人: | 吉林建筑大学 |
主分类号: | H01L21/34 | 分类号: | H01L21/34 |
代理公司: | 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司22100 | 代理人: | 魏征骥 |
地址: | 130118 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 柔性 衬底 材料 氧化锌 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
1.一种基于柔性衬底材料氧化锌薄膜晶体管的制备方法,其特征在于包括下列步骤:
(一)硬质衬底和柔性衬底的清洗、吹干、烘干;所述硬质衬底材料为玻璃、硅片、或不锈钢片,所述柔性衬底材料为聚酰亚胺PI;
(二)衬底粘合,所述衬底粘合材料为光刻胶;
(三)栅极材料沉积,所述栅极材料为铝,采用电子束蒸发方法EB制备;
(四)绝缘层材料沉积,所述绝缘层材料为SiO2,采用离子体增强化学气相沉积方法生长;
(五)氧化锌沟道层材料沉积,所述沟道层材料为ZnO,方法采用射频磁控溅射;
(六)源漏电极沉积,所述源漏电极材料为铝,利用光刻剥离技术,沉积方法采用真空蒸镀、电子束蒸发。
2.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底材料氧化锌薄膜晶体管的制备方法,其特征在于:所述步骤(一)将硬质衬底,25mm*25mm和柔性衬底聚酰亚胺2,20mm*20mm分别清洗,方法是:
(1)先将其放入丙酮溶液中在室温下超声清洗4分钟—6分钟,去除表面分子型沾污等;
(2)然后置于乙醇溶液中在室温下超声清洗3—5分钟,去除表面残余丙酮;
(3)再用去离子水在室温下超声清洗3—5分钟,去除残余乙醇及离子型沾污;
(4)高纯氮气吹干,烘干炉90℃下干燥3—5分钟。
3.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底材料氧化锌薄膜晶体管的制备方法,其特征在于:所述步骤(二)衬底粘合包括:将硬质衬底固定在匀胶仪上,在硬质衬底中间位置滴光刻胶一,0.2ml—0.5ml,将清洗好的柔性材料衬底聚酰亚胺,置于光刻胶一上面,待玻璃衬底与柔性衬底通过光刻胶一全部接触后,启动匀胶仪,转速450—550转/分钟,时间30秒—120秒,使光刻胶一均匀铺在柔性衬底与硬质衬底之间,从而使柔性衬底与硬质衬底紧紧粘合在一起,柔性衬底被平整固定在硬质衬底表面,形成样品一。
4.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底材料氧化锌薄膜晶体管的制备方法,其特征在于:所述步骤(三)栅极材料沉积包括:将样品一放入电子束蒸发装置生长室中,放置方向为柔性衬底朝下,用电子束蒸发方法镀铝在柔性衬底上作为栅极4,完成后,依次将其放入丙酮溶液、乙醇、去离子水中超声清洗3-5分钟,用去离子水冲洗,N2吹干,在此过程中,光刻胶一溶于丙酮溶液,从而,硬质衬底与其他部分分离开来。形成样品二。
5.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底材料氧化锌薄膜晶体管的制备方法,其特征在于:所述步骤(四)绝缘层材料沉积包括:取4英寸洁净硅片,将样品二放置在硅片上面中间位置,样品二吸附于硅片表面,将带有样品二的硅片置于PECVD生长室底座。为避免绝缘层沉积过程中样品二受热发生卷曲、翘角等现象,影响绝缘层生长,取清洗干净的不锈钢片制成的模具一,模具一为方框形,内径15mm,框宽5mm,将模具一压在样品二上面,俯沉积二氧化硅绝缘层,形成样品三。
6.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底材料氧化锌薄膜晶体管的制备方法,其特征在于:所述步骤(五)氧化锌沟道层材料沉积包括,将样品三分别放入丙酮、乙醇、去离子水中依次超声清洗3-5分钟,再用去离子水冲洗,N2吹干,烘干炉90℃下干燥3—5分钟,将其置于磁控溅射仪的溅射台托盘上,上压模具二,内径为12mm,小于模具一内尺寸3mm,框宽为10mm,用螺丝将其固定在溅射台托盘上,悬挂托盘,沉积氧化锌沟道层,将其从托盘中取出,得到样品四。
7.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底材料氧化锌薄膜晶体管的制备方法,其特征在于:所述步骤(六)源漏电极沉积包括,
(1)清洗,按照步骤(一)所述清洗方法,将样品四进行清洗;
(2)固定,按照步骤(二)所述粘合方法,利用光刻胶二将清洗后的样品四固定在硬质衬底表面,形成样品五;
(3)光刻-剥离方法,把沟道层刻蚀出多个制作单一薄膜晶体管器件的小岛区域,在小岛区域内的沟道层上刻蚀出源、漏电极区,在源、漏电极区沉积源、漏电极,具体如下:
①涂胶,将样品五固定在匀胶仪上,旋转,涂有反转特性的光刻胶三,转速500-1300转/分钟,时间3—5分钟,使光刻胶均匀地涂覆在沟道层的表面;
②前烘,90℃下前烘、坚膜9分钟;
③曝光,用光刻版一14覆盖,放置于曝光机下曝光,此时,图形覆盖部分,未受到光照,其余部分曝光;
④显影,将其置于显影液中,曝光部分对应的光刻胶三溶于显影液,被去除,露出氧化锌;
⑤腐蚀,用千分之一盐酸腐蚀,未被光刻胶保护的部分,即氧化锌部分被腐蚀掉,露出绝缘层二氧化硅,形成样品六;
⑥去胶,将样品六放入丙酮、乙醇、去离子水中依次超声清洗3-5分钟,光刻胶二、三溶于丙酮从而被剥离掉;
⑦二次光刻,按照步骤(二)所述粘合方法,利用光刻胶四将清洗去胶后的样品六固定在硬质衬底表面;
涂胶,按照步骤①所述方法,旋涂有反转特性的光刻胶五;
前烘,90℃下前烘,坚膜9分钟;
曝光,用光刻版二17覆盖,对版后,图形与氧化锌重叠,俯视;
曝光后烘,110℃下加热9分钟,有反转特性的光刻胶五变成负胶;
裸曝光;
显影,放入显影液中,负胶未曝光部分被显影液溶掉,曝光部分保留;
用去离子水冲洗,形成样品七,得到即将沉积源、漏电极的区域;
⑧沉积源、漏电极,按照步骤2所述粘合方法,将样品七固定在硬质衬底上,放入电子束蒸发设备EB中,沉积源/漏电极金属铝;
⑨去胶,放入丙酮溶液浸泡1小时—2小时,超声2-3分钟,光刻胶四溶于丙酮从而硬质衬底被分离掉,沟道层表面光刻胶五连同其上的电极被丙酮去除,露出沟道层,再用乙醇、去离子水冲洗干净,N2气吹干。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林建筑大学,未经吉林建筑大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510205191.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造