[发明专利]无线充电用单/多层导磁片及其制备方法

权利要求书

1.一种无线充电用单层导磁片的制备方法，其特征在于，包括如下操作步骤：

热处理步骤，对非晶或纳米晶带材的卷材进行连续热处理；

双面胶粘合步骤，将热处理后带材的卷材打开，所述带材的其中任意一面与双面胶粘合，另一面为裸露面；

裂纹化处理步骤，将一面粘合有双面胶的卷材打开并通过压印辊和与所述压印辊配合使用的平面辊连续进行压印裂纹化处理，从而使打开的非晶或纳米晶带材上均匀分布有多条裂纹，且所述多条裂纹将所述带材分割成多个碎片单元；

浸胶处理步骤，将裂纹化处理后的带材连续地以弧形的方式浸入绝缘介质形成的胶液中，其中所述带材上粘合有双面胶的一面为所述弧形的内弧面，所述带材的裸露面为所述弧形的外弧面，所述弧形的开口端朝上，由此浸过所述胶液的带材上的裂纹缝隙中填充有绝缘胶液，同时所述绝缘胶液在所述带材的裸露面形成一防护薄膜；

烘干固化处理步骤，将浸胶处理后的带材连续地送入烘干装置中进行烘干固化处理，从而得到单层导磁片；

其中，所述浸胶处理是在通过设置于裂纹化处理步骤之后的浸胶处理装置实现的，所述浸胶处理装置包括：

盛装所述胶液的容器；

沉没辊，设置于所述胶液中，所述沉没辊的部分暴露于所述胶液之上，所述带材上粘合的双面胶的自由面与所述沉没辊的辊面接触，所述带材的裸露面暴露于所述胶液中；

第一转向辊，设置于所述容器口的靠近所述压印辊的一侧，用于将所述带材连续地输送入所述胶液中；

第二转向辊，设置于所述容器口的与所述第一转向辊水平相对的一侧，用于将浸胶处理后的带材输出至所述烘干装置中。

2.根据权利要求1所述的无线充电用单层导磁片的制备方法，其特征在于，所述胶液的制备如下：采用溶剂将绝缘介质稀释，其中所述溶剂是酒精、丙酮、丁酮和乙酸乙酯中的一种或多种；所述绝缘介质与所述溶剂的体积比为1：5-100。

3.根据权利要求1所述的无线充电用单层导磁片的制备方法，其特征在于，在所述热处理步骤中，所述非晶带材的热处理温度范围是380-520℃，所述纳米晶带材的热处理温度范围是450-650℃。

4.根据权利要求1所述的无线充电用单层导磁片的制备方法，其特征在于，所述压印辊和所述平面辊夹持粘合有双面胶的所述带材并通过所述压印辊的压印实现所述带材裸露面的裂纹化处理，其中所述压印辊的辊面与所述带材的裸露面接触，所述平面辊的辊面与所述带材上粘合的双面胶的自由面接触。

5.根据权利要求1所述的无线充电用单层导磁片的制备方法，其特征在于，所述带材在所述胶液中停留的时间为0.01-30秒。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的无线充电用单层导磁片的制备方法，其特征在于，所述无线充电用单层导磁片包括：

一层磁性薄片，所述磁性薄片上均匀分布有多条裂纹，且所述多条裂纹将所述磁性薄片分割成多个碎片单元；所述多条裂纹的缝隙中填充有绝缘介质，以使所述裂纹两侧的碎片单元相互绝缘；

双面胶，粘附于所述磁性薄片的其中一面，所述磁性薄片的另一面形成有由所述绝缘介质构成的防护薄膜。

7.根据权利要求6所述的无线充电用单层导磁片的制备方法，其特征在于，所述磁性薄片为非晶薄片或者纳米晶薄片，所述非晶薄片的厚度范围是18-28μm，所述纳米晶薄片的厚度范围是15-28μm，所述非晶薄片的宽度范围是30-300mm，所述纳米晶薄片的宽度范围是20-80mm。

8.根据权利要求6所述的无线充电用单层导磁片的制备方法，其特征在于，各个所述碎片单元的尺寸范围是0.2mm-10mm。

9.根据权利要求6所述的无线充电用单层导磁片的制备方法，其特征在于，所述绝缘介质为聚氨酯类、环氧类和聚酰亚胺类胶中的一种或几种。