[发明专利]一种砷化镓基晶体管的T型栅的制作方法

权利要求书

1.一种砷化镓基晶体管的T型栅的制作方法，其特征在于包括以下步骤：

1)提供一砷化镓基衬底，于衬底上形成一抗反射层，其中所述抗反射层是由DUO248制剂涂覆而成；

2)于抗反射层上涂覆第一光阻，第一光阻经曝光显影形成宽度为0.13-0.18um的下蚀刻窗口；所述第一光阻是与248nm光相匹配之KrF正光阻，经KrF设备进行曝光显影；

3)于上述结构上方涂覆第二光阻，去除第二光阻对应下蚀刻窗口的部分并形成上蚀刻窗口，其中上蚀刻窗口的宽度大于下蚀刻窗口，上蚀刻窗口和下蚀刻窗口形成T型栅极的蚀刻窗口；所述第二光阻是与365nm光相匹配之I-line负光阻；所述上蚀刻窗口是所述第二光阻通过I-line设备曝光显影形成的，宽度为0.7-1.1um；

4)除去蚀刻窗口下方的抗反射层以露出衬底，并蚀刻该部分衬底以形成沟槽；

5)于蚀刻窗口内以沟槽为底层表面沉积金属，形成T型栅极；

6)采用湿式剖离工艺除去抗反射层、第一光阻及第二光阻，其中剥离剂是由CLK-888与过氧化氢混合制得，所述剥离剂的温度为55-70℃，其中过氧化氢的体积分数是2.5-3.5％。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述DUO248制剂涂覆后于110-140℃下软烤1-5min，并于180-220℃下硬烤1-5min以形成所述抗反射层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：步骤2)中，蚀刻临界尺寸是0.15um。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：步骤4)中，所述蚀刻窗口下方的抗反射层通过干式蚀刻去除，其蚀刻临界尺寸是0.16un。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述衬底的沟槽通过湿式蚀刻形成，蚀刻深度为0.02-0.08um，蚀刻液具体是磷酸、草酸、柠檬酸、丁二酸中的一种或其组合。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述形成T型栅极的金属包括有Ti、Ni、Cu、Al、Pt、W、Mo、Cr、Au或上述金属的组合层，是通过磁控溅镀、离子蒸镀、电弧离子蒸镀或化学气相沉积的方式形成于所述蚀刻窗口内。