[发明专利]TFT基板的制作方法及其结构

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及其结构。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。

通常液晶显示面板由彩膜(Color Filter，CF)基板、薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)、夹于CF基板与TFT基板之间的液晶(Liquid Crystal，LC)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。

如图1-8所示，现有的一种TFT基板的制作方法包括如下步骤：

步骤1、如图1所示，提供一基板100，所述基板100上设有TFT区域与非TFT区域，所谓TFT区域是指最终制得的TFT在基板上对应所处的区域；在所述基板100上沉积第一金属层，并通过一道光刻制程图案化该第一金属层，形成位于TFT区域中部的栅极300；

步骤2、如图2所示，在所述栅极300、及基板100上依次沉积栅极绝缘层400、非晶硅层500、N型重掺杂非晶硅层600、及第二金属层700；

步骤3、如图3所示，在所述第二金属层700上涂布一光阻层，并通过一道半色调光罩制程对该光阻层进行曝光、显影，得到对应TFT区域覆盖于第二金属层700上的蚀刻阻挡层800，所述蚀刻阻挡层800包括薄层区域810、及分布于薄层区域810两侧的厚层区域820，所述薄层区域810位于欲形成TFT背沟道的位置；

步骤4、如图4所示，以所述蚀刻阻挡层800为遮挡，采用第一道湿蚀刻制程对所述第二金属层700进行蚀刻，未被所述蚀刻阻挡层800遮挡的第二金属层700完全被蚀刻掉，而保留该第二金属层700位于TFT区域的部分；

步骤5、如图5所示，采用第一道干蚀刻制程对非晶硅层500、N型重掺杂非晶硅层600、及蚀刻阻挡层800进行蚀刻，使得所述非晶硅层500、及N型重掺杂非晶硅层600位于非TFT区域的部分被完全蚀刻掉，同时使所述蚀刻阻挡层800的薄层区域810被完全蚀刻掉，暴露出部分第二金属层700；

步骤6、如图6所示，以所述蚀刻阻挡层800的厚层区域820为遮挡，采用第二道湿蚀刻制程对第二金属层700进行蚀刻，去除第二金属层700被暴露出来的部分，形成源/漏极710；

步骤7、如图7所示，以所述蚀刻阻挡层800的厚层区域820、及源/漏极710为遮挡，采用第二道干蚀刻制程对所述非晶硅层500与N型重掺杂非晶硅层600进行蚀刻，去除掉所述N型重掺杂非晶硅层600未被所述源/漏极710遮挡的部分，并降低所述非晶硅层500未被所述源/漏极710遮挡的部分的厚度，形成背沟道区510；

在该第二道干蚀刻制程中，由于所述栅极绝缘层400位于非TFT区域的部分上方没有遮挡，往往会被蚀刻掉一部分，从而使所述栅极绝缘层400位于非TFT区域的部分的厚度降低。

步骤8、如图8所示，去除蚀刻阻挡层8的厚层区域82得到一TFT基板。