[发明专利]确定薄膜晶体管所需最优薄膜密度的方法在审
申请号: | 201510210248.5 | 申请日: | 2015-04-24 |
公开(公告)号: | CN104810294A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 司荣美;刘彩风 | 申请(专利权)人: | 天津宝兴威科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 301800 天津市宝*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 确定 薄膜晶体管 最优 薄膜 密度 方法 | ||
1.确定薄膜晶体管所需最优薄膜密度的方法,该方法按如下步骤进行:
a、准备不同长度的样本;
b、制备不同密度的碳管薄膜;
c、测量薄膜晶体管的性能,绘制开关比-迁移率相互关系图;
d、AFM表征晶体管通道薄膜;
e、计算密度。
进一步的,所述薄膜晶体管为碳纳米管,所述碳纳米管可以是单壁碳纳米管,多壁碳纳米管。
2.如权利要求1所述的确定薄膜晶体管所需最优薄膜密度的方法,其特征是所述碳纳米管样本由DGU方法制备,密度梯度介质溶液由体积百分比60%的碘克沙醇和适量的2wt%脱氧胆酸钠溶液或碳纳米管的溶液构成,碳纳米管密度为0.8~1.2mg/ml,将置有上述密度梯度介质溶液的离心管在24,600~153,700g,5℃的条件下高速离心94~18小时,随后,离心管中的悬浮液被提取了10层/mL。
3.如权利要求1所述的确定薄膜晶体管所需最优薄膜密度的方法,其特征是所述碳管薄膜由点滴法制备,其具体方法是:将不同长度的碳管样本用2wt%脱氧胆酸钠溶液调到0.01~0.04mg/ml浓度,将稀释过的不同长度的碳管溶液分别滴到薄膜晶体管的通道上形成活性层,不同体积的碳管溶液用于产生各种密度的碳管薄膜,接着室温自然晾干后用甲醇冲洗。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造