[发明专利]一种光电子器件的封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种光电子器件的封装结构，包括用于包覆光电子器件的薄膜封装层，其特征在于，薄膜封装层由无机封装材料层和紫外光固化树脂层以周期数n交替重叠组成，其中，1≤n≤20，所述紫外光固化树脂由以下质量百分比的组份组成：

2.根据权利要求1所述的光电子器件的封装结构，其特征在于，所述无机封装材料为金属氧化物或金属硫化物或金属氮化物，金属氧化物为氧化钙、五氧化二钽、二氧化钛、二氧化锆、氧化铜、氧化锌、三氧化二铝、三氧化二铬、二氧化锡、氧化镍或五氧化二锑中的一种或多种，金属硫化物为二硫化钛、硫化铁、三硫化二铬、硫化铜、硫化锌、二硫化锡、硫化镍、三硫化二钴、三硫化二锑、硫化铅、三硫化二镧、硫化铈或二硫化锆中的一种或多种，金属氮化物为氮化硅或氮化铝中的一种或两种。

3.一种光电子器件的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

①制备光电子器件；

②在所制备的光电子器件上制备无机封装材料层；

③在无机封装材料层上制备紫外光固化树脂层；

④对步骤③处理后的光电子器件表面进行紫外光固化处理30秒；

⑤对紫外光固化后的器件，继续重复步骤②、③和④的操作，连续重复n-1次，1≤n≤20；

⑥测试封装后器件的寿命以及其他各项参数。

4.根据权利要求3所述的光电子器件的封装方法，其特征在于，所述无机封装材料层和紫外光固化树脂层是通过真空蒸镀、离子团束沉积、离子镀、直流溅射镀膜、RF溅射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、触媒式化学气相沉积、磁控溅射、喷墨打印、电镀、喷涂、旋涂、浸涂、辊涂或LB膜中的一种或者几种方式而形成。

5.根据权利要求3所述的光电子器件的封装方法，其特征在于，所述光电子器件是一种光电之间、电电之间或电光之间可以进行信号和能量转换的器件。

6.根据权利要求5所述的光电子器件的封装方法，其特征在于，光电子器件为有机电致发光二极管、无机发光二极管、有机太阳能电池、无机太阳能电池、有机薄膜晶体管、无机薄膜晶体管或光探测器。

7.根据权利要求3所述的光电子器件的封装方法，其特征在于，紫外光固化树脂由以下质量百分比的组份组成：

8.根据权利要求3所述的光电子器件的封装方法，其特征在于，所述无机封装材料为金属氧化物或金属硫化物或金属氮化物，金属氧化物为氧化钙、五氧化二钽、二氧化钛、二氧化锆、氧化铜、氧化锌、三氧化二铝、三氧化二铬、二氧化锡、氧化镍或五氧化二锑中的一种或多种，金属硫化物为二硫化钛、硫化铁、三硫化二铬、硫化铜、硫化锌、二硫化锡、硫化镍、三硫化二钴、三硫化二锑、硫化铅、三硫化二镧、硫化铈或二硫化锆中的一种或多种，金属氮化物为氮化硅或氮化铝中的一种或两种。