[发明专利]信号接收电路有效
申请号: | 201510210625.5 | 申请日: | 2015-04-28 |
公开(公告)号: | CN104901683B | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 周玉镇;魏来;戴颉;李耿民;职春星 | 申请(专利权)人: | 灿芯半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | H03K19/094 | 分类号: | H03K19/094 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司32236 | 代理人: | 庞聪雅 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 信号 接收 电路 | ||
1.一种信号接收电路,其特征在于,其包括:
差分输入单元,用于接收输入的一对电压差分信号,该对电压差分信号包括第一电压差分信号和第二电压差分信号,在第一电压差分信号和/或第二电压差分信号的电压高于第一预定阈值时,基于输入的该对电压差分信号产生第一对电流差分信号,在第一电压差分信号和/或第二电压差分信号的电压低于第一预定阈值时,基于该对电压差分信号的电压至少产生第二对电流差分信号;
第一电流比较单元,其比较第一对电流差分信号,并得到比较结果;
第二电流比较单元,其比较第二对电流差分信号,并得到比较结果,
其中综合第一电流比较单元和第二电流比较单元的比较结果得到输入的一对电压差分信号的信号判决,
其中该对电压差分信号的差压小于或等于第二电压VDDH,第一电流比较单元、第二电流比较单元和差分输入单元内的器件为耐压小于第二电压,第一电流比较单元和第二电流比较单元以第一电压VDD为工作电压,第一电压VDD小于第二电压VDDH,
所述信号接收电路还包括第一电源端和第二电源端,第一电源端的电压为第一电压VDD,第二电源端的电压为第二电压VDDH,
所述差分输入单元包括第一传递单元、第二传递单元、第一转换单元和第二转换单元,
第一传递单元,其输入的第一电压差分信号和/或第二电压差分信号的电压高于VDD-Vth1时,将输入的第一电压差分信号和/或第二电压差分信号分别传递至第一节点x和第二节点y,其中第一节点x和第二节点y的最高电压小于第二电源端的电压VDDH,Vth1为第一阈值电压,其中VDD-Vth1为第一预定阈值;
第一转换单元将第一节点x的电压和第二节点y的电压转换为第一对电流差分信号输出,
第二传递单元,其在输入的第一电压差分信号和/或第二电压差分信号的电压高于VDD+Vth2时,将输入的第一电压差分信号和/或第二电压差分信号传递至第三节点a和第四节点b,其中Vth2为第二阈值电压;
第二转换单元将第三节点a的电压和第四节点b的电压转换为第一对电流差分信号输出,
其中第一转换单元和第二转换单元共享输出电路。
2.根据权利要求1所述的信号接收电路,其特征在于,
所述电流比较单元为P型电流比较单元或N型电流比较单元,
各个电流比较单元的输出端连接在一起并与所述信号接收电路的输出端相连。
3.根据权利要求2所述的信号接收电路,其特征在于,
所述P型电流比较单元包括NMOS晶体管MN31、MN32、MN33、MN34和PMOS晶体管PM31、PM32,
其中NMOS晶体管MN31、MN32、MN33、MN34的源极连接接地端,
晶体管MN31的栅极与晶体管MN32的栅极以及晶体管MN31的漏极相连,
晶体管MN34的栅极与晶体管MN33的栅极以及晶体管MN34的漏极相连,
PMOS晶体管PM31和PM32的源极与第一电源端相连,晶体管PM32的栅极与晶体管PM31的栅极以及晶体管PM32的漏极相连,
晶体管MN32的漏极与晶体管PM31的漏极相连,晶体管MN32的漏极与晶体管PM31的漏极的中间节点作为所述P型电流比较单元的输出端,晶体管MN33的漏极与晶体管PM32的漏极相连,
晶体管MN31的漏极作为所述P型电流比较单元的一个输入端连接输入的一对电流差分信号中的一个,
晶体管MN34的漏极作为所述P型电流比较单元的另一个输入端连接一对电流差分信号中的另一个,
第一电源端的电压为第一电压VDD。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于灿芯半导体(上海)有限公司,未经灿芯半导体(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510210625.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种手动神经内科用膝盖康复训练装置
- 下一篇:一种隐私保护架