[发明专利]石墨烯表面原子层沉积高K栅介质的方法

权利要求书

1. 一种石墨烯表面原子层沉积高K栅介质的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）制备表面干净平整、少缺陷的石墨烯材料作为沉积高k栅介质的基底样品；

（2）将基底样品放入ALD反应腔室中，远程操控射线，使石墨烯P轨道电子吸收能量跃迁，改变外层电子取向，破坏离域大π键，形成悬挂键；

（3）通入水蒸气，完成石墨烯表面的化学吸附，直至衬底表面达到饱和；

（4）通入第一前驱体源，完成石墨烯表面的高k栅介质沉积。

2.根据权利要求1所述的石墨烯表面原子层沉积高K栅介质的方法，其特征在于，所述石墨烯材料采用CVD法、外延生长法或机械剥离法制备。

3.根据权利要求1所述的石墨烯表面原子层沉积高K栅介质的方法，其特征在于，所述射线为伽马射线。

4.根据权利要求3所述的石墨烯表面原子层沉积高K栅介质的方法，其特征在于，所述伽马射线提供能量在1-500eV。

5.根据权利要求1所述的石墨烯表面原子层沉积高K栅介质的方法，其特征在于，所述第一前驱体源为IIIA族金属化合物或IIIB族化合物中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的石墨烯表面原子层沉积高K栅介质的方法，其特征在于，在步骤（4）之后通入第二前驱体源，完成高k栅介质的掺杂。

7.根据权利要求6所述的石墨烯表面原子层沉积高K栅介质的方法，其特征在于，所述第二前驱体源为IVB族化合物的一种或多种。

8.根据权利要求6或7所述的石墨烯表面原子层沉积高K栅介质的方法，其特征在于，所述第二前驱体源为三（四甲基庚二丙酮）镧、四（二甲氨基）锆、四（二甲氨基）铪或者四（乙胺基）锆。

9.根据权利要求1所述的石墨烯表面原子层沉积高K栅介质的方法，其特征在于，所述高k栅介质层为                                               ，，，，ZrO2中的一种或多种。