[发明专利]一种钛酸铋钠基0‑3复合铁电厚膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种钛酸铋钠基0-3复合铁电厚膜，其化学成份复合化学通式为(0.95Na_0.5Bi_0.5TiO₃-0.05SrTiO₃)-x(K_0.5Na_0.5)NbO₃，其中0≤x≤1.8。

2.根据权利要求1所述的钛酸铋钠基0-3复合铁电厚膜，其特征在于所述的(K_0.5Na_0.5)NbO₃为粉体，所述的0.95Na_0.5Bi_0.5TiO₃-0.05SrTiO₃为胶体。

3.根据权利要求1所述的钛酸铋钠基0-3复合铁电厚膜，其特征在于所述的钛酸铋钠基0-3复合铁电厚膜的总厚度为3～10微米。

4.一种如权利要求1所述的钛酸铋钠基0-3复合铁电厚膜的应用，其特征在于利用离子溅射往(0.95Na_0.5Bi_0.5TiO₃-0.05SrTiO₃)-x(K_0.5Na_0.5)NbO₃铁电厚膜表面上喷涂电极材料得到电极，其中0≤x≤1.8。

5.一种制备如权利要求1所述的钛酸铋钠基0-3复合铁电厚膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)(0.95Na_0.5Bi_0.5TiO₃-0.05SrTiO₃)-x(K_0.5Na_0.5)NbO₃混合浆料的制备

按(K_0.5Na_0.5)NbO₃：(0.95Na_0.5Bi_0.5TiO₃-0.05SrTiO₃)的摩尔比为x：1进行配比，其中，0≤x≤1.8，将(K_0.5Na_0.5)NbO₃粉体分散到0.95Na_0.5Bi_0.5TiO₃-0.05SrTiO₃胶体中，经球磨充分分散均匀，得到稳定的混合浆料；

2)(0.95Na_0.5Bi_0.5TiO₃-0.05SrTiO₃)-x(K_0.5Na_0.5)NbO₃厚膜的制备采用旋涂工艺将步骤1)所得的混合浆料通过旋转涂覆的方法涂覆在硅基片上，所述的旋转涂覆的速度为2500～4000转/分，旋涂时间为30～50秒，然后对硅基片涂覆的(Na_0.5Bi_0.5TiO₃-5SrTiO₃)-x(K_0.5Na_0.5)NbO₃湿凝胶膜进行热处理工艺，重复上述旋涂工艺-热处理工艺，得到钛酸铋钠基0-3复合铁电厚膜。

6.根据权利要求5所述的钛酸铋钠基0-3复合铁电厚膜的制备方法，其特征在于所述的热处理工艺是将湿凝胶膜于140℃～160℃干燥2～5min，然后在380～450℃处理5～15min，再慢慢推入管式电阻炉中，用700℃～800℃的温度处理2～5min。

7.根据权利要求5所述的钛酸铋钠基0-3复合铁电厚膜的制备方法，其特征在于所述的重复上述旋涂工艺-热处理工艺，直至所需的复合铁电厚膜的厚度时，将所得的复合铁电厚膜于700℃～800℃的温度处理8～15min。