[发明专利]FinFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201510212384.8 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN106206713B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 李威养;陈定业;詹佳玲;詹前泰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/41;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | finfet 及其 制造 方法 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510212384.8/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高频水平双扩散氧化物半导体器件及其制作方法
- 下一篇：半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
