[发明专利]线性均衡器及其方法

权利要求书

1.一种线性均衡器，包括：

一第一类型的一第一金属氧化物半导体晶体管，设置在一共源极放大器电路中，以接收一输入信号并输出一中间信号；

一第二类型的一第一金属氧化物半导体晶体管，设置在由一第一自偏压电阻电容电路偏压的一自偏压拓扑中，以提供该中间信号的终端；

一第二类型的一第二金属氧化物半导体晶体管，设置在另一共源极放大器拓扑中，以放大该中间信号而产生一输出信号；以及

一第一类型的一第二金属氧化物半导体晶体管，设置在由一第二自偏压电阻电容电路偏压的另一自偏压拓扑中，以提供该输出信号的终端。

2.根据权利要求1所述的线性均衡器，其中该第一自偏压电阻电容电路包括：

一电阻，耦接在该第二类型的该第一金属氧化物半导体晶体管的漏极与栅极之间；以及

一电容，耦接在一供电节点与一接地节点中之一者与该第二类型的该第一金属氧化物半导体晶体管的该栅极之间。

3.根据权利要求1所述的线性均衡器，其中该第二自偏压电阻电容电路包括：

一电阻，耦接在该第一类型的该第二金属氧化物半导体晶体管的漏极与栅极之间；以及

一电容，耦接在一供电节点与一接地节点中之一者与该第一类型的该第二金属氧化物半导体晶体管的该栅极之间。

4.根据权利要求1所述的线性均衡器，其中该第一类型为P型，以及该第二类型为N型。

5.根据权利要求1所述的线性均衡器，其中该第一类型为N型，以及该第二类型为P型。

6.一种等化方法包括：

接收一输入信号；

利用一第一类型的一第一金属氧化物半导体晶体管放大该输入信号而产生一中间信号，其中该第一类型的该第一金属氧化物半导体晶体管设置在一共源极放大器拓扑中；

利用一第二类型的一第一金属氧化物半导体晶体管提供该中间信号的终端，其中该第二类型的该第一金属氧化物半导体晶体管设置在由一第一自偏压电阻电容电路偏压的一自偏压拓扑中；

利用一第二类型的一第二金属氧化物半导体晶体管放大该中间信号而产生一输出信号，其中该第二类型的该第二金属氧化物半导体晶体管设置在另一共源极放大器拓扑中；以及

利用一第一类型的一第二金属氧化物半导体晶体管提供该输出信号的终端，其中该第一类型的该第二金属氧化物半导体晶体管设置在由一第二自偏压电阻电容电路偏压的另一自偏压拓扑中。

7.根据权利要求6所述的等化方法，其中该第一自偏压电阻电容电路包括：耦接在该第二类型的该第一金属氧化物半导体晶体管的漏极与栅极之间的一电阻，以及耦接在一供电节点与一接地节点中之一者与该第二类型的该第一金属氧化物半导体晶体管的该栅极之间的一电容。

8.根据权利要求6所述的等化方法，其中该第二自偏压电阻电容电路包括：耦接在该第一类型的该第二金属氧化物半导体晶体管的漏极与栅极之间的一电阻，以及耦接在一供电节点与一接地节点中之一者与该第一类型的该第二金属氧化物半导体晶体管的该栅极之间的一电容。

9.根据权利要求6所述的等化方法，其中该第一类型为P型，以及该第二类型为N型。

10.根据权利要求6所述的等化方法，其中该第一类型为N型，以及该第二类型为P型。