[发明专利]一种存储系统及采用该存储系统的读写方法有效
申请号: | 201510214813.5 | 申请日: | 2015-04-29 |
公开(公告)号: | CN105630405B | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 戴瑾 | 申请(专利权)人: | 上海磁宇信息科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F12/06 |
代理公司: | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人: | 于晓菁 |
地址: | 201800 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 存储系统 采用 读写 方法 | ||
1.一种采用存储系统的读方法,其特征在于,所述存储系统包括主机内存与固态硬盘,所述固态硬盘包括主控芯片、NAND芯片与MRAM,所述主机内存包括读缓存与所述固态硬盘的逻辑地址与物理地址对照表,所述MRAM包括写缓存;所述MRAM通过DDR DRAM接口与所述固态硬盘的主控芯片连接;所述MRAM集成于所述固态硬盘的主控芯片中;
所述读方法包括以下步骤:
(1)文件系统收到读取NAND页指令;
(2)根据所述NAND页的逻辑地址,搜索所述NAND页是否在主机内存中的读缓存中,如果在所述读缓存中,从所述读缓存中读取数据,执行步骤(8);如果不在所述读缓存中,执行步骤(3);
(3)根据所述NAND页的逻辑地址,在主机内存中的逻辑地址与物理地址对照表中,查询获得所述NAND页的物理地址;
(4)根据所述物理地址搜索所述NAND页是否在MRAM中的写缓存中,如果在所述写缓存中,从所述写缓存中读取所述NAND页的数据,执行步骤(6);如果不在所述写缓存中,执行步骤(5);
(5)从NAND芯片中读取所述NAND页的数据;
(6)如果所述读缓存中没有空闲页,清理读缓存;
(7)将读取的所述NAND页的数据存储于所述读缓存的空闲页中;
(8)读操作结束。
2.如权利要求1所述的读方法,其特征在于,步骤(3)中逻辑地址与物理地址对照表在开机时,由文件系统从NAND芯片读取到主机内存中。
3.如权利要求2所述的读方法,其特征在于,步骤(3)中逻辑地址与物理地址对照表在关机时或主机空闲时,由文件系统写回NAND芯片。
4.如权利要求2所述的读方法,其特征在于,步骤(3)中逻辑地址与物理地址对照表在关机时或主机空闲时,由文件系统将逻辑地址与物理地址对照表的更新部分写回NAND芯片。
5.一种采用存储系统的写方法,其特征在于,所述存储系统包括主机内存与固态硬盘,所述固态硬盘包括主控芯片、NAND芯片与MRAM,所述主机内存包括读缓存与所述固态硬盘的逻辑地址与物理地址对照表,所述MRAM包括写缓存;所述MRAM通过DDR DRAM接口与所述固态硬盘的主控芯片连接;所述MRAM集成于所述固态硬盘的主控芯片中;
所述写方法包括以下步骤:
(1)文件系统收到写NAND页指令;
(2)根据所述NAND页的逻辑地址,搜索所述NAND页是否在主机内存中的读缓存中,如果在所述读缓存中,将写NAND页指令中的数据写入所述读缓存中相应的缓存页;
(3)根据所述NAND页的逻辑地址,在主机内存中的逻辑地址与物理地址对照表中,查询获得所述NAND页的物理地址;
(4)根据所述物理地址搜索所述NAND页是否在MRAM中的写缓存中,如果在所述写缓存中,执行步骤(5);如果不在所述写缓存中,执行步骤(6);
(5)将写NAND页指令中的数据写入所述写缓存的相应缓存页中,执行步骤(8);
(6)将写NAND页指令中的数据写入所述写缓存的空闲页中;
(7)如果所述写缓存的空闲页少于第一警戒值,清理所述写缓存;
(8)写操作结束。
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