[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201510215816.0 | 申请日： | 2010-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN104835850B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;细羽幸;野田耕生;大原宏树;佐佐木俊成;坂田淳一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体层 湿气 半导体器件 薄膜晶体管 热处理 沟道形成区 半导体层 氧气气氛 栅绝缘层 电特性 脱氢 脱水 制造 改进 | ||
1.一种半导体器件，包括：
包括氧化物半导体层的晶体管，
其中，水的两个峰值不被热解吸能谱学测量检测到，在所述氧化物半导体层上执行所述热解吸能谱学测量达450℃，
其中，所述水的两个峰值包括在300℃附近的水的峰值，
其中，所述氧化物半导体层在氧气气氛中经受热处理，且
其中，在高于或等于400℃且低于700℃的温度执行所述热处理。
2.一种半导体器件，包括：
栅电极；
所述栅电极上的栅绝缘层；
所述栅绝缘层上的氧化物半导体层；以及
电连接至所述氧化物半导体层的源电极和漏电极，其中，水的两个峰值不被热解吸能谱学测量检测到，在所述氧化物半导体层上执行所述热解吸能谱学测量达450℃，
其中，所述水的两个峰值包括在300℃附近的水的峰值，
其中，所述氧化物半导体层在氧气气氛中经受热处理，且
其中，在高于或等于400℃且低于700℃的温度执行所述热处理。
3.一种半导体器件，包括：
第一绝缘层；
所述第一绝缘层上的氧化物半导体层；
所述氧化物半导体层上的第二绝缘层；
电连接至所述氧化物半导体层的源电极和漏电极；以及
所述第二绝缘层上的导电层，
其中，水的两个峰值不被热解吸能谱学测量检测到，在所述氧化物半导体层上执行所述热解吸能谱学测量达450℃，
其中，所述水的两个峰值包括在300℃附近的水的峰值，
其中，所述氧化物半导体层在氧气气氛中经受热处理，且
其中，在高于或等于400℃且低于700℃的温度执行所述热处理。
4.一种半导体器件，包括：
栅电极；
所述栅电极上的栅绝缘层；
所述栅绝缘层上的第一氧化物半导体层；
所述第一氧化物半导体层上的源电极和漏电极；
在所述第一氧化物半导体层和所述源电极之间的第二氧化物半导体层；以及
在所述第一氧化物半导体层和所述漏电极之间的第三氧化物半导体层，
其中，水的两个峰值不被热解吸能谱学测量检测到，在所述第一氧化物半导体层上执行所述热解吸能谱学测量达450℃，
其中，所述水的两个峰值包括在300℃附近的水的峰值，
其中，所述第一氧化物半导体层在氧气气氛中经受热处理，且
其中，在高于或等于400℃且低于700℃的温度执行所述热处理。
5.一种半导体器件，包括：
第一绝缘层；
所述第一绝缘层上的第一氧化物半导体层；
所述第一氧化物半导体层上的源电极和漏电极；
在所述第一氧化物半导体层和所述源电极之间的第二氧化物半导体层；
在所述第一氧化物半导体层和所述漏电极之间的第三氧化物半导体层；
所述第一氧化物半导体层上的第二绝缘层；以及
所述第二绝缘层上的导电层，
其中，水的两个峰值不被热解吸能谱学测量检测到，在所述第一氧化物半导体层上执行所述热解吸能谱学测量达450℃，
其中，所述水的两个峰值包括在300℃附近的水的峰值，
其中，所述第一氧化物半导体层在氧气气氛中经受热处理，且
其中，在高于或等于400℃且低于700℃的温度执行所述热处理。
6.如权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，
所述氧化物半导体层包括铟、镓和锌。
7.如权利要求4或5所述的半导体器件，其特征在于，
所述第一氧化物半导体层包括铟、镓和锌。
8.如权利要求4或5所述的半导体器件，其特征在于，
所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层具有比所述第一氧化物半导体层更高的传导率。
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