[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510216034.9 | 申请日： | 2015-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN106185787B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 郑超;王伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有覆盖部分所述半导体衬底的牺牲层，以形成台阶形结构；
步骤S2：共形沉积功能材料层，以覆盖所述半导体衬底和所述牺牲层；
步骤S3：在所述台阶形结构处的所述功能材料层的侧壁上形成间隙壁；
步骤S4：在所述功能材料层的侧壁和所述间隙壁上形成干膜层，以覆盖所述间隙壁和所述侧壁并使所述台阶形结构处的角度更加平滑；
步骤S5：沉积金属材料层并图案化，以形成金属层并覆盖所述干膜层；
步骤S6：去除所述牺牲层，以形成空腔。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S4包括：
步骤S41：在所述功能材料层上和所述间隙壁上无缝贴敷或旋涂所述干膜层，以覆盖所述间隙壁；
步骤S42：对所述干膜层进行曝光，以在所述功能材料层的侧壁上形成所述干膜层，覆盖所述间隙壁和所述侧壁。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，在形成所述干膜层之后，所述台阶形结构的坡度呈平滑的钝角。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述半导体衬底上还形成有MEMS元件，其中，所述牺牲层覆盖所述MEMS元件。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，沉积所述功能材料层，以形成背板。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述功能材料层选用SiN。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述牺牲层选用氧化物。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5中，所述金属材料层选用金。
9.一种根据权利要求1至8之一所述方法制备得到的MEMS器件。
10.一种电子装置，包括权利要求9所述的MEMS器件。
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