[发明专利]一种适用于线型缺陷的磁轭式局部微磁化检测装置

权利要求书

1.一种适用于线型缺陷的磁轭式局部微磁化检测装置，其特征在于，该装置包括磁敏感元件部分(A)、磁感应部分(B)和磁轭式局部微磁化部分(C)，其中：

该磁敏感元件部分(A)包括磁敏感元件引线端(A1)、磁敏感元件(A2)、线型磁引导芯(A4)和磁绝缘的方形磁引导芯套筒(A3)，所述磁敏感元件引线端(A1)与所述磁敏感元件(A2)相连，所述线型磁引导芯(A4)的上端与磁敏感元件(A2)下端的磁敏感部位相连，该线型磁引导芯(A4)由竖向设置的且长短不一的长条形引导芯叠加而成，其中位于中部的长条形引导芯长度最长，而其余长条形引导芯对称设置在该中部的长条形引导芯的两侧，并且长度依次递减，所述方形磁引导芯套筒(A3)紧套在所述线型磁引导芯(A4)上端的外侧；

该磁感应部分(B)包括磁感应线圈(B1)和线圈引线端(B2)，所述磁感应线圈(B1)绕制在所述方形磁引导芯套筒(A3)的外侧，所述线圈引线端(B2)设置在所述磁感应线圈(B1)的两端，以便于所述磁感应线圈(B1)中磁感应信号的输出；

该磁轭式局部微磁化部分(C)包括方形导磁构件(C1)、磁轭式双磁铁(C3,C3’)和斜向双导磁构件(C4,C4’)，其中所述方形导磁构件(C1)套装在所述方形磁引导芯套筒(A3)的下部，并由所述方形磁引导芯套筒(A3)的下端面固定支撑，所述方形导磁构件(C1)的两边对称连接有沿竖直方向布置的且磁极相反的磁轭式双磁铁(C3,C3’)，所述磁轭式双磁铁(C3,C3’)的下端部连接有向所述线型磁引导芯(A4)倾斜的斜向双导磁构件(C4,C4’)。

2.如权利要求1所述的一种适用于线型缺陷的磁轭式局部微磁化检测装置，其特征在于，所述线型磁引导芯(A4)包括竖向设置的第一长条形引导芯、第二长条形引导芯和第三长条形引导芯，其中所述第一长条形引导芯设于中部，所述第二长条形引导芯和第三长条形引导芯的长度相等，且对称设置在所述第一长条形引导芯的两侧，此外，所述第一长条形引导芯的长度大于所述第二长条形引导芯和第三长条形引导芯的长度。

3.如权利要求2所述的一种适用于线型缺陷的磁轭式局部微磁化检测装置，其特征在于，所述第二长条形引导芯和第三长条形引导芯的两侧对称设置有第四长条形引导芯和第五长条形引导芯，所述第四长条形引导芯和第五长条形引导芯的长度相等，且小于所述第二长条形引导芯和第三长条形引导芯的长度。

4.如权利要求1-3任一项所述的一种适用于线型缺陷的磁轭式局部微磁化检测装置，其特征在于，所述磁敏感元件(A2)优选为光纤磁敏感元件、磁通门磁敏感元件、巨磁阻磁敏元件和霍尔磁敏元件中的一种；所述线型磁引导芯(A4)的制备材料优选为坡莫合金。

5.如权利要求4所述的一种适用于线型缺陷的磁轭式局部微磁化检测装置，其特征在于，所述磁感应部分(B)优选由铜质漆包线绕制而成。

6.如权利要求5所述的一种适用于线型缺陷的磁轭式局部微磁化检测装置，其特征在于，所述磁轭式双磁铁(C3,C3’)优选为稀土永磁体。