[发明专利]一种用于三相共箱型高压GIS的工频耐压试验装置有效

专利信息
申请号: 201510216696.6 申请日: 2015-04-30
公开(公告)号: CN104865505B 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 黄国强;郭顺彬;冯庆游;邓汝浩 申请(专利权)人: 广州白云电器设备股份有限公司
主分类号: G01R31/12 分类号: G01R31/12
代理公司: 广州知友专利商标代理有限公司44104 代理人: 周克佑
地址: 510460 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 三相 共箱型 高压 gis 耐压 试验装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种用于三相共箱型高压GIS的工频耐压试验装置。

背景技术

运行中的GIS除长期承受系统的正常相电压以外,还要承受各种过电压的作用。为了保证GIS的长期可靠运行,必须对GIS进行工频耐压试验。现有的三相共箱型高压GIS进行工频耐压试验时,特别是产品在户内时,受现场条件限制,无法采用三相出线套管一次性对GIS进行工频耐压试验。目前的试验方法是采取单相出线套管试验方式并逐步完成三相现场试验,从而导致每完成一相的试验后,需要重新回收出线套管内的SF6气体,在GIS产品的电缆终端再更换另一相,同时将剩余两相进行接地,然后将出线套管抽取真空并充入SF6气体,再进行工频耐压试验。每次换相时都需要用外置接地线手动将剩余二相进行接地,一旦忘记接地或者不能良好的接地,在试验时将会产生感应电势,造成放电危及设备或者人员安全。这样如此重复操作,不仅使得试验周期很长,而且大大降低工作效率及提高产品的人工成本。

发明内容

本发明所要解决的技术问题,就是提供一种用于三相共箱型高压GIS的工频耐压试验装置,可以缩短试验周期,大大提高工作效率以及降低人工成本,避免因放电造成设备或人员安全事故的发生。

解决上述技术问题,本发明采用以下的技术方案:

一种用于三相共箱型高压GIS的工频耐压试验装置,其特征是:包括一个由出线套管组件、单相绝缘盆子、罐体和三相绝缘盆子从上至下组装而成的充SF6气体罐体组件;所述罐体内设有三个隔离/接地开关组件,所述单相绝缘盆子的导电体上端与出线套管组件电连接、导电体下端则与一连接板的顶面连接,三个隔离/接地开关组件的上端固定连接在所述连接板底面上、下端则分别连接三相绝缘盆子的三相导电体。

所述隔离/接地开关组件由隔离开关动触头座组件、隔离开关动触头操作机构、静触头座组件和接地开关动触头座组件构成。

采用上述技术方案,当三相共箱型高压GIS某一相处于工频耐压试验的时候,也就是与该相连接的隔离/接地开关组件处于隔离开关合闸接地开关分闸状态,可以实现其他两相处于隔离开关分闸接地开关合闸状态;而且当该相完成工频耐压试验后,可以直接通过调节隔离/接地开关组件使得第二相处于隔离开关合闸而接地开关分闸状态,而其他两相处于隔离开关分闸而接地开关合闸状态,依次类推直至完成三相试验。整个过程不用回收SF6气体罐体组件内的SF6气体及抽真空,缩短试验周期,还大大提高工作效率以及降低人工成本。

所述的隔离开关动触头座组件为:竖直放置的第一管座,其内设有可上下运动的第一动触头,所述第一管座的上端与所述的连接板底面连接。

所述的隔离开关动触头操作机构为:一设在所述第一管座旁边的水平管座,其内可回转地支承有水平旋转轴,所述旋转轴前端经一绝缘杆固定有一小齿轮,所述齿轮与固定在动触头上的齿条啮合,旋转轴后端伸出罐体并固定有第一齿轮和操作摇柄,管座固定在罐体上。

所述的静触头座组件为:一设在所述隔离开关动触头座组件竖直放置的第一管座下方的静触头座,其在轴向靠近隔离开关动触头座组件的上端以及侧面、分别设有第一动触头套孔及第二动触头套孔,所述第二动触头套孔内设有接地开关的圆柱形静触头,静触头座组件下端与三相绝缘盆子的一相导电体连接。

所述接地开关动触头座组件为:一设在所述静触头座组件旁边的水平第二管座,其内可回转但不可前后运动地支承有一T型牙螺杆、以及一可前后移动但不可回转的管状第二动触头,管状第二动触头的后端固定有一T型牙螺母与所述T型牙螺杆配合;所述的管状第二动触头对应着所述的静触头座组件第二动触头套孔内的圆柱形静触头,所述的T型牙螺杆后端伸出罐体并固定有第二齿轮,第二齿轮与所述的隔离开关动触头操作机构第一齿轮啮合。

所述连接板中间开有连接孔,且在连接孔周围的连接板底面上均布有三个法兰式触头,所述连接板的连接孔与单相绝缘盆子的导电体下端连接、法兰式触头则与隔离开关动触头座组件的第一管座上端连接。

所述的出线套管组件包括出线端子、出线套管、出线触头座、棒状导体,所述棒状导体位于出线套管内并贯通其两端,所述出线端子设在出线套管上端并与棒状导体上端连接,所述出线触头座上端与棒状导体下端连接,所述出线触头座下端连接在单相绝缘盆子的导电体上端。

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