[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201510216868.X | 申请日: | 2015-04-30 |
公开(公告)号: | CN104934442B | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | 汪建国;刘圣烈 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静,黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是指一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置。
背景技术
随着TFT(薄膜晶体管)产业的进步及工艺的改善,液晶显示器件已被应用到越来越多的平板显示产品当中,包括手机、数码相机、平板电脑、笔记本电脑、及液晶电视等,其优良的显示特性已被越来越多的用户所推崇,市场竞争力很强。
随着液晶显示技术的发展,液晶显示装置朝着大尺寸、高解析度以及低成本的方向发展。随着大尺寸技术的发展,阻抗效应的影响越来越大。为解决这个问题,低电阻材料如Cu金属被引进来降低走线电阻,但其容易氧化、良率低且容易扩散的特性,极大的限制了其应用。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置,能够防止阵列基板上的导电金属被氧化腐蚀,提高阵列基板的性能和良率。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种阵列基板,所述阵列基板的导电金属图形上覆盖有阻氧薄膜。
进一步地,所述导电金属图形为源电极、漏电极和数据线。
进一步地,所述阻氧薄膜覆盖所述导电金属图形的上表面及斜侧面。
进一步地,所述导电金属图形的材料为Cu或Al、Mo、W中的至少一种与Cu的合金。
进一步地,所述阻氧薄膜为a-Si薄膜。
进一步地,所述a-Si薄膜的厚度为100-180nm。
进一步地,所述阵列基板还包括:
位于覆盖有所述阻氧薄膜的导电金属图形上的钝化层。
本发明实施例还提供了一种显示面板,包括上述的阵列基板。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括上述的显示面板。
本发明实施例还提供了一种上述阵列基板的制作方法,在形成导电金属图形之后,形成覆盖所述导电金属图形的阻氧薄膜。
本发明的实施例具有以下有益效果:
上述方案中,阵列基板的导电金属图形上覆盖有阻氧薄膜,该阻氧薄膜能够对导电金属图形进行保护,防止氧化性气体作用到导电金属图形上。这样在阵列基板的制作过程中,形成导电金属图形之后,在进行富含O2或N2O等氧化性气体的工艺中,能够避免氧化性气体对导电金属图形造成的氧化腐蚀,保证导电金属图形的导电性能,同时还能避免导电金属的扩散,提高阵列基板的性能和良率。
附图说明
图1为本发明实施例在衬底基板上形成公共电极后的截面示意图;
图2为本发明实施例形成栅电极、栅线和公共电极线后的截面示意图;
图3为本发明实施例形成栅绝缘层和有源层后的截面示意图;
图4为本发明实施例形成刻蚀阻挡层后的截面示意图;
图5为本发明实施例形成源电极、漏电极和数据线后的截面示意图;
图6为本发明实施例形成a-Si薄膜后的截面示意图;
图7为本发明实施例形成钝化层后的截面示意图;
图8为本发明实施例形成像素电极后的截面示意图。
附图标记
1衬底基板 2公共电极 3栅金属层4栅绝缘层
5有源层 6刻蚀阻挡层 7源漏金属层8a-Si薄膜
9钝化层 10像素电极
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明的实施例针对现有技术中Cu金属容易氧化且容易扩散,影响阵列基板的性能的问题,提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置,能够防止阵列基板上的导电金属被氧化腐蚀,提高阵列基板的性能和良率。
本发明实施例提供了一种阵列基板,所述阵列基板的导电金属图形上覆盖有阻氧薄膜。该阻氧薄膜能够对导电金属图形进行保护,防止氧化性气体作用到导电金属图形上。这样在阵列基板的制作过程中,形成导电金属图形之后,在进行富含O2或N2O等氧化性气体的工艺中,能够避免氧化性气体对导电金属图形造成的氧化腐蚀,保证导电金属图形的导电性能,同时还能避免导电金属的扩散,提高阵列基板的性能和良率。
具体地,所述导电金属图形为源电极、漏电极和数据线。
优选地,所述阻氧薄膜覆盖所述导电金属图形的上表面及斜侧面,这样能够完全覆盖导电金属图形。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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