[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201510216868.X 申请日: 2015-04-30
公开(公告)号: CN104934442B 公开(公告)日: 2018-02-27
发明(设计)人: 汪建国;刘圣烈 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司11243 代理人: 许静,黄灿
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制作方法 显示 面板 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,特别是指一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置。

背景技术

随着TFT(薄膜晶体管)产业的进步及工艺的改善,液晶显示器件已被应用到越来越多的平板显示产品当中,包括手机、数码相机、平板电脑、笔记本电脑、及液晶电视等,其优良的显示特性已被越来越多的用户所推崇,市场竞争力很强。

随着液晶显示技术的发展,液晶显示装置朝着大尺寸、高解析度以及低成本的方向发展。随着大尺寸技术的发展,阻抗效应的影响越来越大。为解决这个问题,低电阻材料如Cu金属被引进来降低走线电阻,但其容易氧化、良率低且容易扩散的特性,极大的限制了其应用。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置,能够防止阵列基板上的导电金属被氧化腐蚀,提高阵列基板的性能和良率。

为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:

一方面,提供一种阵列基板,所述阵列基板的导电金属图形上覆盖有阻氧薄膜。

进一步地,所述导电金属图形为源电极、漏电极和数据线。

进一步地,所述阻氧薄膜覆盖所述导电金属图形的上表面及斜侧面。

进一步地,所述导电金属图形的材料为Cu或Al、Mo、W中的至少一种与Cu的合金。

进一步地,所述阻氧薄膜为a-Si薄膜。

进一步地,所述a-Si薄膜的厚度为100-180nm。

进一步地,所述阵列基板还包括:

位于覆盖有所述阻氧薄膜的导电金属图形上的钝化层。

本发明实施例还提供了一种显示面板,包括上述的阵列基板。

本发明实施例还提供了一种显示装置,包括上述的显示面板。

本发明实施例还提供了一种上述阵列基板的制作方法,在形成导电金属图形之后,形成覆盖所述导电金属图形的阻氧薄膜。

本发明的实施例具有以下有益效果:

上述方案中,阵列基板的导电金属图形上覆盖有阻氧薄膜,该阻氧薄膜能够对导电金属图形进行保护,防止氧化性气体作用到导电金属图形上。这样在阵列基板的制作过程中,形成导电金属图形之后,在进行富含O2或N2O等氧化性气体的工艺中,能够避免氧化性气体对导电金属图形造成的氧化腐蚀,保证导电金属图形的导电性能,同时还能避免导电金属的扩散,提高阵列基板的性能和良率。

附图说明

图1为本发明实施例在衬底基板上形成公共电极后的截面示意图;

图2为本发明实施例形成栅电极、栅线和公共电极线后的截面示意图;

图3为本发明实施例形成栅绝缘层和有源层后的截面示意图;

图4为本发明实施例形成刻蚀阻挡层后的截面示意图;

图5为本发明实施例形成源电极、漏电极和数据线后的截面示意图;

图6为本发明实施例形成a-Si薄膜后的截面示意图;

图7为本发明实施例形成钝化层后的截面示意图;

图8为本发明实施例形成像素电极后的截面示意图。

附图标记

1衬底基板 2公共电极 3栅金属层4栅绝缘层

5有源层 6刻蚀阻挡层 7源漏金属层8a-Si薄膜

9钝化层 10像素电极

具体实施方式

为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

本发明的实施例针对现有技术中Cu金属容易氧化且容易扩散,影响阵列基板的性能的问题,提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置,能够防止阵列基板上的导电金属被氧化腐蚀,提高阵列基板的性能和良率。

本发明实施例提供了一种阵列基板,所述阵列基板的导电金属图形上覆盖有阻氧薄膜。该阻氧薄膜能够对导电金属图形进行保护,防止氧化性气体作用到导电金属图形上。这样在阵列基板的制作过程中,形成导电金属图形之后,在进行富含O2或N2O等氧化性气体的工艺中,能够避免氧化性气体对导电金属图形造成的氧化腐蚀,保证导电金属图形的导电性能,同时还能避免导电金属的扩散,提高阵列基板的性能和良率。

具体地,所述导电金属图形为源电极、漏电极和数据线。

优选地,所述阻氧薄膜覆盖所述导电金属图形的上表面及斜侧面,这样能够完全覆盖导电金属图形。

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