[发明专利]半导体器件在审

专利信息
申请号: 201510217327.9 申请日: 2009-01-20
公开(公告)号: CN104882437A 公开(公告)日: 2015-09-02
发明(设计)人: 坂本吉史 申请(专利权)人: 拉碧斯半导体株式会社
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L27/146;H01L23/48;H01L23/488;H01L21/683
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 舒艳君;李洋
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,其特征在于,包含:

矩形的半导体基板;

多个正面电极,形成在所述半导体基板的正面;

多个贯通孔,在所述半导体基板的内部从所述半导体基板的反面到达各个所述正面电极;

导电体,覆盖各个所述贯通孔的内壁;

反面布线网,设置在所述半导体基板的反面并且与所述导电体连接;

绝缘膜,覆盖所述反面布线网;

印字标记,不被配置于所述反面布线网的上方,而是形成在所述绝缘膜上的印字区;以及

焊锡,与所述反面布线网连接并且与所述印字区邻接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:

所述印字区是通过激光照射而形成于所述绝缘膜的沟。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:

所述焊锡以围绕所述印字区的周围的方式配置。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:

所述印字区的外缘的一部分与所述半导体基板的外缘一致。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:

所述印字区大小在所述锡焊的间隔以上。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:

所述印字区在与所述印字标记形成面平行的方向与所述锡焊分开。

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