[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510217734.X | 申请日： | 2015-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN106185788B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 郑超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00;B81B1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有凹槽；
步骤S2：反转所述底部晶圆并图案化所述底部晶圆，以在所述底部晶圆的背面形成连通所述凹槽的导流孔；
步骤S3：再次反转所述底部晶圆并和顶部晶圆相接合；
步骤S4：在所述接合之后将所述顶部晶圆研磨打薄，以减小所述顶部晶圆的厚度；
步骤S5：在将所述顶部晶圆研磨打薄之后执行高温工艺步骤。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：
步骤S6：反转所述步骤S5中得到的器件；
步骤S7：执行背面工艺，以在所述底部晶圆上形成开口，露出所述凹槽。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述导流孔位于所述凹槽顶部的中心位置。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述导流孔的尺寸为15-25um。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述导流孔的深度为250-350um。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述凹槽的开口尺寸为35-50um，深度为90-110um。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述底部晶圆的厚度为380-460um。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述顶部晶圆选用硅。
9.一种基于权利要求1至8之一所述的方法制备得到的MEMS器件。
10.一种电子装置，包括权利要求9所述的MEMS器件。
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