[发明专利]一种基于LTCC技术的高集成度8x8微波开关矩阵

权利要求书

1.一种基于LTCC技术的高集成度8x8开关矩阵，其特征在于：包括金属壳、16个射频接头、电源和控制接口、控制电路基板、金属介质、射频网络、供电网络；该基于LTCC技术的高集成度8x8开关矩阵包括36层LTCC基板，每层LTCC基板包括介质层和金属层，金属层附在介质层上；第一层LTCC基板的金属层上安装有十六个单刀八掷开关，十六个单刀八掷开关包括八个输入的单刀八掷开关和八个输出的单刀八掷开关；

八个输入的单刀八掷开关分别为第一输入单刀八掷开关、第二输入单刀八掷开关、第三输入单刀八掷开关、第四输入单刀八掷开关、第五输入单刀八掷开关、第六输入单刀八掷开关、第七输入单刀八掷开关、第八输入单刀八掷开关；

八个输出的单刀八掷开关分别为第一输出单刀八掷开关、第二输出单刀八掷开关、第三输出单刀八掷开关、第四输出单刀八掷开关、第五输出单刀八掷开关、第六输出单刀八掷开关、第七输出单刀八掷开关、第八输出单刀八掷开关；

金属介质中镶嵌有多个绝缘子；电源和控制接口包括电源接口和控制接口，电源接口和控制接口共用一个九针的低频插头；

16个射频接头包括8个射频输入接头和8个射频输出接头；

36层LTCC基板和控制电路基板间为一定厚度的金属介质，金属壳尺寸与36层LTCC基板匹配，使36层LTCC基板能够固定卡在金属壳内；

射频网络包括多个射频传输层，射频传输层分布在第一层、第四层、第九层、第十四层、第十九层、第二十四层、第二十九层、第三十四层LTCC基板的金属层上；

供电网络分布在第一层和第四层LTCC基板的金属层上，第一层和第四层LTCC基板的介质层设有多个通孔，每个通孔进行金属化处理；

射频网络和供电网络共同所在的第一层和第四层作为电路层；

隔离层为第二层、第七层、第十二层、第十七层、第二十二层、第二十七层、第三十二层、第三十六层LTCC基板的金属层，隔离层留有非金属化孔，该非金属化孔与第一层和第四层LTCC基板的通孔位置对应，使射频信号通过该层；

第二层、第七层、第十二层、第十七层、第二十二层、第二十七层、第三十二层、第三十六层LTCC基板的介质层上设有多个通孔，分别与第二层、第七层、第十二层、第十七层、第二十二层、第二十七层、第三十二层的隔离层留有的非金属化孔的位置对应，每个通孔内壁进行金属化处理；

第三层、第五层、第六层、第八层、第十层、第十一层、第十三层、第十五层、第十六层、第十八层、第二十层、第二十一层、第二十三层、第二十五层、第二十六层、第二十八层、第三十层、第三十一层、第三十三层、第三十五层LTCC基板为过渡层，过渡层设有多个通孔；

十六个单刀八掷开关分两列安装在第一层LTCC基板的金属层表面；每个输入的单刀八掷开关包括一个射频输入接口和八个射频输出接口、三个控制接口和一个供电接口；输入的单刀八掷开关的八个射频输出接口分别为第一路射频输出接口、第二路射频输出接口、第三路射频输出接口、第四路射频输出接口、第五路射频输出接口、第六路射频输出接口、第七路射频输出接口、第八路射频输出接口

每个输出的单刀八掷开关包括八个射频输入接口和一个射频输出接口、三个控制接口和一个供电接口；每个输出的单刀八掷开关的八个射频输入接口分别为第一路射频输入接口、第二路射频输入接口、第三路射频输入接口、第四路射频输入接口、第五路射频输入接口、第六路射频输入接口、第七路射频输入接口、第八路射频输入接口；

第一输入单刀八掷开关的第一路射频输出接口通过第一层LTCC基板的金属层连接第一输出单刀八掷开关的第一路射频输入接口；

第一输入单刀八掷开关的第二路射频输出接口通过第一层LTCC基板的金属层连接第二输出单刀八掷开关的第一路射频输入接口；

第一输入单刀八掷开关的第三路射频输出接口通过第一层LTCC基板的金属层连接第三输出单刀八掷开关的第一路射频输入接口；

第一输入单刀八掷开关的第四路射频输出接口通过第一层LTCC基板的金属层连接第四输出单刀八掷开关的第一路射频输入接口；

第一输入单刀八掷开关的第五路射频输出接口通过第一层LTCC基板的金属层连接第五输出单刀八掷开关的第一路射频输入接口；

第一输入单刀八掷开关的第六路射频输出接口通过第一层LTCC基板的金属层连接第六输出单刀八掷开关的第一路射频输入接口；

第一输入单刀八掷开关的第七路射频输出接口通过第一层LTCC基板的金属层连接第七输出单刀八掷开关的第一路射频输入接口；

第一输入单刀八掷开关的第八路射频输出接口通过第一层LTCC基板的金属层连接第八输出单刀八掷开关的第一路射频输入接口；

第二输入单刀八掷开关的第一路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第四层LTCC基板的金属层，再通过第三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第一输出单刀八掷开关的第二路射频输入接口；

第二输入单刀八掷开关的第二路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第四层LTCC基板的金属层，再通过第三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第二输出单刀八掷开关的第二路射频输入接口；

第二输入单刀八掷开关的第三路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第四层LTCC基板的金属层，再通过第三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第三输出单刀八掷开关的第二路射频输入接口；

第二输入单刀八掷开关的第四路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第四层LTCC基板的金属层，再通过第三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第四输出单刀八掷开关的第二路射频输入接口；

第二输入单刀八掷开关的第五路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第四层LTCC基板的金属层，再通过第三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第五输出单刀八掷开关的第二路射频输入接口；

第二输入单刀八掷开关的第六路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第四层LTCC基板的金属层，再通过第三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第六输出单刀八掷开关的第二路射频输入接口；

第二输入单刀八掷开关的第七路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第四层LTCC基板的金属层，再通过第三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第七输出单刀八掷开关的第二路射频输入接口；

第二输入单刀八掷开关的第八路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第四层LTCC基板的金属层，再通过第三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第八输出单刀八掷开关的第二路射频输入接口；

第三输入单刀八掷开关的第一路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第九层LTCC基板的金属层，再通过第八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第一输出单刀八掷开关的第三路射频输入接口；

第三输入单刀八掷开关的第二路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第九层LTCC基板的金属层，再通过第八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第二输出单刀八掷开关的第三路射频输入接口；

第三输入单刀八掷开关的第三路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第九层LTCC基板的金属层，再通过第八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第三输出单刀八掷开关的第三路射频输入接口；

第三输入单刀八掷开关的第四路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第九层LTCC基板的金属层，再通过第八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第四输出单刀八掷开关的第三路射频输入接口；

第三输入单刀八掷开关的第五路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第九层LTCC基板的金属层，再通过第八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第五输出单刀八掷开关的第三路射频输入接口；

第三输入单刀八掷开关的第六路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第九层LTCC基板的金属层，再通过第八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第六输出单刀八掷开关的第三路射频输入接口；

第三输入单刀八掷开关的第七路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第九层LTCC基板的金属层，再通过第八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第七输出单刀八掷开关的第三路射频输入接口；

第三输入单刀八掷开关的第八路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第九层LTCC基板的金属层，再通过第八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第八输出单刀八掷开关的第三路射频输入接口；

第四输入单刀八掷开关的第一路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第十四层LTCC基板的金属层，再通过第十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第一输出单刀八掷开关的第四路射频输入接口；

第四输入单刀八掷开关的第二路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第十四层LTCC基板的金属层，再通过第十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第二输出单刀八掷开关的第四路射频输入接口；

第四输入单刀八掷开关的第三路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第十四层LTCC基板的金属层，再通过第十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第三输出单刀八掷开关的第四路射频输入接口；

第四输入单刀八掷开关的第四路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第十四层LTCC基板的金属层，再通过第十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第四输出单刀八掷开关的第四路射频输入接口；

第四输入单刀八掷开关的第五路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第十四层LTCC基板的金属层，再通过第十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第五输出单刀八掷开关的第四路射频输入接口；

第四输入单刀八掷开关的第六路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第十四层LTCC基板的金属层，再通过第十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第六输出单刀八掷开关的第四路射频输入接口；

第四输入单刀八掷开关的第七路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第十四层LTCC基板的金属层，再通过第十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第七输出单刀八掷开关的第四路射频输入接口；

第四输入单刀八掷开关的第八路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第十四层LTCC基板的金属层，再通过第十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第八输出单刀八掷开关的第四路射频输入接口；

第五输入单刀八掷开关的第一路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第十八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第十九层LTCC基板的金属层，再通过第十八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第一输出单刀八掷开关的第五路射频输入接口；

第五输入单刀八掷开关的第二路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第十八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第十九层LTCC基板的金属层，再通过第十八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第二输出单刀八掷开关的第五路射频输入接口；

第五输入单刀八掷开关的第三路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第十八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第十九层LTCC基板的金属层，再通过第十八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第三输出单刀八掷开关的第五路射频输入接口；

第五输入单刀八掷开关的第四路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第十八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第十九层LTCC基板的金属层，再通过第十八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第四输出单刀八掷开关的第五路射频输入接口；

第五输入单刀八掷开关的第五路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第十八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第十九层LTCC基板的金属层，再通过第十八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第五输出单刀八掷开关的第五路射频输入接口；

第五输入单刀八掷开关的第六路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第十八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第十九层LTCC基板的金属层，再通过第十八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第六输出单刀八掷开关的第五路射频输入接口；

第五输入单刀八掷开关的第七路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第十八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第十九层LTCC基板的金属层，再通过第十八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第七输出单刀八掷开关的第五路射频输入接口；

第五输入单刀八掷开关的第八路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第十八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第十九层LTCC基板的金属层，再通过第十八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第八输出单刀八掷开关的第五路射频输入接口；

第六输入单刀八掷开关的第一路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第二十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第二十四层LTCC基板的金属层，再通过第二十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第一输出单刀八掷开关的第六路射频输入接口；

第六输入单刀八掷开关的第二路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第二十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第二十四层LTCC基板的金属层，再通过第二十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第二输出单刀八掷开关的第六路射频输入接口；

第六输入单刀八掷开关的第三路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第二十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第二十四层LTCC基板的金属层，再通过第二十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第三输出单刀八掷开关的第六路射频输入接口；

第六输入单刀八掷开关的第四路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第二十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第二十四层LTCC基板的金属层，再通过第二十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第四输出单刀八掷开关的第六路射频输入接口；

第六输入单刀八掷开关的第五路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第二十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第二十四层LTCC基板的金属层，再通过第二十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第五输出单刀八掷开关的第六路射频输入接口；

第六输入单刀八掷开关的第六路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第二十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第二十四层LTCC基板的金属层，再通过第二十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第六输出单刀八掷开关的第六路射频输入接口；

第六输入单刀八掷开关的第七路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第二十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第二十四层LTCC基板的金属层，再通过第二十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第七输出单刀八掷开关的第六路射频输入接口；

第六输入单刀八掷开关的第八路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第二十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第二十四层LTCC基板的金属层，再通过第二十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第八输出单刀八掷开关的第六路射频输入接口；

第七输入单刀八掷开关的第一路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第二十八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第二十九层LTCC基板的金属层，再通过第二十八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第一输出单刀八掷开关的第七路射频输入接口；

第七输入单刀八掷开关的第二路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第二十八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第二十九层LTCC基板的金属层，再通过第二十八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第二输出单刀八掷开关的第七路射频输入接口；

第七输入单刀八掷开关的第三路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第二十八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第二十九层LTCC基板的金属层，再通过第二十八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第三输出单刀八掷开关的第七路射频输入接口；

第七输入单刀八掷开关的第四路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第二十八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第二十九层LTCC基板的金属层，再通过第二十八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第四输出单刀八掷开关的第七路射频输入接口；

第七输入单刀八掷开关的第五路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第二十八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第二十九层LTCC基板的金属层，再通过第二十八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第五输出单刀八掷开关的第七路射频输入接口；

第七输入单刀八掷开关的第六路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第二十八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第二十九层LTCC基板的金属层，再通过第二十八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第六输出单刀八掷开关的第七路射频输入接口；

第七输入单刀八掷开关的第七路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第二十八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第二十九层LTCC基板的金属层，再通过第二十八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第七输出单刀八掷开关的第七路射频输入接口；

第七输入单刀八掷开关的第八路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第二十八层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第二十九层LTCC基板的金属层，再通过第二十八层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第八输出单刀八掷开关的第七路射频输入接口；

第八输入单刀八掷开关的第一路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第三十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第三十四层LTCC基板的金属层，再通过第三十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第一输出单刀八掷开关的第八路射频输入接口；

第八输入单刀八掷开关的第二路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第三十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第三十四层LTCC基板的金属层，再通过第三十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第二输出单刀八掷开关的第八路射频输入接口；

第八输入单刀八掷开关的第三路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第三十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第三十四层LTCC基板的金属层，再通过第三十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第三输出单刀八掷开关的第八路射频输入接口；

第八输入单刀八掷开关的第四路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第三十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第三十四层LTCC基板的金属层，再通过第三十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第四输出单刀八掷开关的第八路射频输入接口；

第八输入单刀八掷开关的第五路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第三十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第三十四层LTCC基板的金属层，再通过第三十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第五输出单刀八掷开关的第八路射频输入接口；

第八输入单刀八掷开关的第六路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第三十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第三十四层LTCC基板的金属层，再通过第三十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第六输出单刀八掷开关的第八路射频输入接口；

第八输入单刀八掷开关的第七路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过第一层至第三十三层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第三十四层LTCC基板的金属层，再通过第三十三层至第一层LTCC基板的通孔形成的垂直过孔连接至第一层LTCC基板的金属层，再通过金丝压焊连接至第七输出单刀八掷开关的第八路射频输入接口；

第八输入单刀八掷开关的第八路射频输出接口通过金丝压焊与第一层LTCC基板的金属层相连，再通过金丝压焊连接至第八输出单刀八掷开关的第八路射频输入接口；

电源和控制接口通过低频导线和控制电路基板相连，第一层LTCC基板的金属层通过金带和金属介质中的绝缘子相连，控制电路基板通过金带和绝缘子相连，

8个射频输入接头焊接在第一层LTCC基板的金属层，通过第一层LTCC基板的金属层分别与八个输入的单刀八掷开关的射频输入接口连接；

8个射频输出接头焊接在第一层LTCC基板的金属层，通过第一层LTCC基板的金属层分别与八个输出的单刀八掷开关的射频输出接口连接；

第三十六层LTCC基板采用导电胶粘接到金属介质的一侧，控制电路基板用螺钉固定在金属介质的另一侧，金属介质和金属壳为金属一体结构；

三十六层LTCC基板的每一层通过高温烧结在一起；

射频信号的走向为：射频信号分别从8个射频输入接口输入，通过LTCC的第一层基板上的金属层分别输入到输入的单刀八掷开关，输入的单刀八掷开关的输出分成八个路由，通过垂直金属化孔分散到第一层、第四层、第九层、第十四层、第十九层、第二十四层、第二十九层、第三十四层LTCC基板的金属层；第一层、第四层、第九层、第十四层、第十九层、第二十四层、第二十九层、第三十四层LTCC基板的金属层再通过垂直金属化孔转接到第一层LTCC基板的金属层，再连接到焊接在第一层LTCC基板的金属层上的输出的单刀八掷开关的输入，从输出的单刀八掷开关的射频输出接口输出；

控制信号的走向为：串行控制信号从控制接口进入，通过低频导线传输到控制电路基板，控制电路基板将接收到的串行控制信号转换成并行信号，通过金属介质中的绝缘子将并行信号传输至第一层LTCC基板的金属层，再通过第一层至第八层LTCC基板的垂直过孔传输到第九层LTCC基板的金属层，再由第九层LTCC基板的金属层通过垂直过孔转接到第一层LTCC基板的金属层，再通过第一层LTCC基板的金属层与十六个单刀八掷开关的控制接口相连；

LTCC基板的第一层和第九层电路将控制信号分别连接到16个单刀八掷开关，通过控制16个单刀八掷开关实现8X8开关矩阵的通道切换；

电源信号的走向为：电源包括+5V电压和-5V电压，+5V电压从电源接口进入，通过低频导线连接到控制电路基板上，-5V电压也从电源接口进入，通过低频导线连接到控制电路基板上，再通过绝缘子转接至第一层LTCC基板的金属层，再通过第一层至第三层LTCC基板的垂直过孔传输到第四层LTCC基板的金属层，再由第四层LTCC基板的金属层通过垂直过孔转接到第一层LTCC基板的金属层，再通过第一层LTCC基板的金属层与十六个单刀八掷开关的电源接口相连；给十六个单刀八掷开关供电。