[发明专利]一种功率半导体模块内部连接结构

权利要求书

1.一种功率半导体模块内部连接结构，它包括一预先注塑有铜端子的下壳体，在所述下壳体内还有半导体芯片和绝缘基板，其特征在于所述的铜端子的底部通过超声键合方式与绝缘基板的正面铜层结合在一起；且不同绝缘基板的正面铜层之间也通过铜键合方式直接连接。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块内部连接结构，其特征在于所述的铜端子位于下壳体内部的连接端采用裸铜结构，位于下壳体外部的连接端采用电镀保护并有良好的锡焊能力，且外部连接端与内部连接端之间有三个以上的折弯结构；不同绝缘基板的正面铜层之间的铜键合方式直接连接使用的是粗铜线材料。

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块内部连接结构，其特征在于铜端子的中间部分通过注塑方式与塑料外壳结合成下壳体，下壳体的焊接端设有焊接面可上下微调的弹性折弯结构。

4.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块内部连接结构，其特征在于所述的绝缘基板由中间的高强度陶瓷和上下两面铜层烧结而成；所述下壳体内覆盖有绝缘胶，且所述绝缘胶覆盖模块内部所有金属体，绝缘胶的最高面超过金属体最高面1mm以上。