[发明专利]蚀刻膏、蚀刻膏的应用以及利用蚀刻膏蚀刻纳米银导电材料的方法

权利要求书

1.一种用于蚀刻纳米银导电薄膜或纳米银导电玻璃蚀刻膏，其特征在于：所述蚀刻膏的各组分的质量分数百分比如下：

双氧水：20%；

醋酸：5%；

二氧化硅：5%；

羧甲基纤维素：4%；

聚乙二醇：10%；

丙二醇：15%；

水：41%。

2.一种蚀刻膏的应用，其特征在于：该蚀刻膏直接用于蚀刻纳米银导电薄膜或纳米银导电玻璃，所述蚀刻膏为权利要求1所述的蚀刻膏。

3.一种利用蚀刻膏蚀刻纳米银导电材料的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：

(a). 将权利要求1所述的蚀刻膏印制在纳米银导电材料上；

(b). 常温下放置2~15分钟；

(c). 将所述纳米银导电材料在60℃~130℃的温度下烘烤10分钟；

(d). 冲洗去除所述纳米银导电材料上残余的蚀刻膏。

4.如权利要求3所述的利用蚀刻膏蚀刻纳米银导电材料的方法，其特征在于：所述纳米银导电材料为纳米银导电薄膜或者纳米银导电玻璃；步骤(d)包括利用自来水或纯净水浸泡所述纳米银导电材料，然后冲洗去除残余的蚀刻膏，然后使用纯净水清洗，然后将所述纳米银导电材料风干或烘干。