[发明专利]一种石墨烯材料及其电极材料制备方法有效
申请号: | 201510220111.8 | 申请日: | 2015-05-04 |
公开(公告)号: | CN104876213B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 张好斌;齐新;于中振;郭瑞文;张航天 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
主分类号: | C01B32/19 | 分类号: | C01B32/19;H01M4/583;H01M4/587 |
代理公司: | 北京五月天专利商标代理有限公司11294 | 代理人: | 王天桂 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石墨 材料 及其 电极 制备 方法 | ||
1.一种石墨烯材料的制备方法,其含有多孔石墨烯片和卤化物颗粒,其特征在于,在多孔石墨烯片层间插入卤化物,所述卤化物颗粒呈单层均匀平铺于所述石墨烯片层间;其制备方法包括以下步骤:
(1)将卤化物和石墨一起置于不锈钢反应釜中,加热至300~400℃,保温1~12小时,得到卤化物插层石墨化合物;
(2)将卤化物插层石墨化合物粉体加入到有机溶剂N,N-二甲基甲酰胺中,在冰浴条件下,对溶液进行细胞破碎超声处理,得到卤化物插层石墨烯的分散液;
(3)将卤化物插层石墨烯的分散液进行抽滤,洗涤,然后在70-100℃下干燥6-18小时后,得到卤化物插层多孔型石墨烯材料;
反应配比中卤化物与石墨的质量反应配比为1:1~4:1,卤化物插层石墨复合物的阶数控制为1阶、2阶或3阶;所得石墨烯粉体中,石墨烯片厚度为1~5nm,片层尺寸为0.1~5微米,孔径大小为0.01 nm-200 nm;其中卤化物插层石墨化合物采用熔盐插层方法;
步骤(1)中的石墨为鳞片石墨,其目数为300目;
步骤(2)的细胞破碎超声处理的功率在100~900瓦,处理的时间为0.5~6小时,细胞破碎超声机的探头直径与处理液体量为正比关系;
步骤(3)得到的卤化物插层多孔型石墨烯材料粉体中,卤化物含量为5 wt%~50 wt%。
2.根据权利要求1所述的石墨烯材料的制备方法,其特征在于,以卤化物为插层剂制备插层石墨,所述插层剂为氯化铁、氯化铝、氯化镍中的一种或几种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京化工大学,未经北京化工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510220111.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。