[发明专利]一种自偏置的超宽带低功耗低噪声放大器

权利要求书

1.一种自偏置的超宽带低功耗低噪声放大器，其特征在于：所述超宽带低功耗低噪声放大器包括键合线电感、低频增益放大电路和高频增益放大电路；键合线电感的一端输入外部信号，其另一端连接低频增益放大电路的输入端，信号经低频放大后输出至高频增益放大电路的输入端，低频放大后的信号在高频增益放大电路进行高频放大后输出；所述的低频增益放大电路包括第一NMOS晶体管（M₁）、PMOS晶体管（P₁）、第一螺旋电感（L₁）、第二螺旋电感（L₂）和第一电阻（R₁），PMOS晶体管（P₁）的栅极、第一电阻（R₁）的一端和第一螺旋电感（L₁）的一端连结形成第一节点（T₁），PMOS晶体管（P₁）的漏极、第一电阻（R₁）的另一端和第一NMOS晶体管（M₁）的漏极连结形成第二节点（T₂），键合线电感（B₁）的另一端连接到第一节点（T₁），第一螺旋电感（L₁）的另一端连接到第一NMOS晶体管（M₁）的栅极，第一NMOS晶体管（M₁）的源极经第二螺旋电感（L₂）接地，PMOS晶体管（P₁）的源极连接电源（V_DC），第二节点（T₂）输出低频放大后的信号。

2.根据权利要求1所述的一种自偏置的超宽带低功耗低噪声放大器，其特征在于：所述的高频增益放大电路包括第二NMOS晶体管（M₂）、第三NMOS晶体管（M₃）、第三螺旋电感（L₃）、带中心抽头的第四螺旋电感（L₄）和第二电阻（R₂）；第三螺旋电感（L₃）的一端连接低频增益放大电路的输出端，另一端连接到第二NMOS晶体管（M₂）的栅极；第二NMOS晶体管（M₂）的源极接地，漏极接到第三NMOS晶体管（M₃）的源极；第三NMOS晶体管（M₃）的漏极接到带中心抽头的第四螺旋电感（L₄）的一端，带中心抽头的第四螺旋电感（L₄）的另一端连接到第二电阻（R₂）的一端，第二电阻（R₂）的另一端与第三NMOS晶体管（M₃）的栅极共同连接到电源（V_DC）上，带中心抽头的第四螺旋电感（L₄）的中心抽头输出高频放大后的信号。