[发明专利]像素结构在审
申请号: | 201510220685.5 | 申请日: | 2015-05-04 |
公开(公告)号: | CN104766566A | 公开(公告)日: | 2015-07-08 |
发明(设计)人: | 黄建中;刘立伟 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;李岩 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 | ||
技术领域
本发明是有关于一种像素结构,且特别是有关于一种驱动发光二极管的像素结构。
背景技术
发光二极管(light emitting diode,LED)由于具有省电、使用寿命长、启动快速、体积小等多种优点,因此近年来被广泛的应用在平面显示器中。其中,有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)又因为高亮度、高对比度、自发光、无视角限制、无需背光结构等优点,在目前已逐渐成为平面显示器中最具有发展潜力的一种技术。而在现有技术的平面显示器中,常见有主动式发光二极管显示面板以及被动式发光二极管显示面板。
在现有技术的主动式发光二极管面板中,常通过驱动晶体管以接收驱动电压来产生驱动电流以驱使发光二极管发光。为了可以稳定的控制发光二极管的亮度,驱动晶体管通常被操作在饱和区以提供稳定的驱动电流。然而,依据晶体管饱和区的电流公式可以得知,驱动电流会随着驱动晶体管的临界电压的改变而发生变化。另外,随着像素结构的设计,驱动晶体管所产生的电流,也可能随着其所驱动的负载(发光二极管)的临界电压而改变,亦有可能随着面板中的电流电阻电压降(IR drop)所造成的接地电压的漂移而生改变。因此,要在长时间的工作下,稳定发光二极管产生的亮度,为本领域的技术人员的重大课题。
发明内容
本发明提供一种像素结构,补偿因电路元件的电气特性发生变异时,所产生的显示不均匀现象。
本发明的像素结构用以驱动发光二极管,包括:驱动晶体管、耦合开关、扫描开关、电容、激光开关以及设定开关。驱动晶体管具有第一端、第二端以及控制端,其第二端耦接至发光二极管或操作电源,其控制端接收偏压电压。耦合开关耦接在驱动晶体管的控制端与第一端间,依据扫描信号以导通或断开。扫描开关的第一端接收显示数据电压,扫描开关受控于扫描信号以导通或断开。电容的第一端耦接扫描开关的第二端,电容的第二端提供偏压电压至驱动晶体管的控制端。激光开关耦接在操作电源以及驱动晶体管的第一端间,或耦接在驱动晶体管的第一端与发光二极管间,依据激光控制信号以导通或断开。设定开关耦接在参考电压以及扫描开关的第二端间,依据激光控制信号以导通或断开。
基于上述,本发明提供的像素结构针对于现有技术其功效在于,可以适当的设定驱动晶体管所接收的偏压电压,使驱动晶体管所产生的驱动电流的电流大小与驱动晶体管的临界电压、发光二极管的临界电压以及因电流电阻电压降(IR drop)所产生的参考接地电压的变异无关,可有效控制发光二极管的亮度,提升其效能。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1绘示本发明一实施例的像素结构的示意图;
图2绘示本发明另一实施例的像素结构的示意图;
图3绘示本发明实施例的像素架构的动作波形图;
图4A以及4B分别绘示本发明图2实施例的驱动电流误差率与电流电阻压降以及驱动晶体管临界电压变化的关系图;
图5绘示本发明再一实施例的像素结构的示意图;
图6A以及图6B绘示本发明不同实施例的像素结构的示意图;
图7绘示本发明更一实施例的像素结构的示意图;
图8绘示本发明实施例的像素架构的动作波形图;
图9A以及图9B绘示本发明不同实施例的像素结构的示意图。
其中,附图标记:
100、200、500、600、700、900:像素结构
LED:发光二极管
T1:驱动晶体管
CSW:耦合开关
SCSW:扫描开关
C1、C2:电容
ESW:激光开关
SESW:设定开关
G:控制端
OVDD:操作电源
EM:激光控制信号
VSUS:参考电压
OVSS:参考接地电压
DATA:显示数据电压
SCAN:扫描信号
TC、TSC、TE、TSE、TA:晶体管
RESET:重置时间周期
COMP1、COMP2:补偿时间周期
410、420:曲线
ASW:辅助开关
EMN:辅助控制信号
EMISS:激光时间周期
具体实施方式
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