[发明专利]层状复合结构可调控电容和压电应力调控介电的方法

权利要求书

1.一种层状复合结构可调控电容，所述可调控电容为静电场-应力应变耦合可调控电容，包括铁电压电片和铁电介电体，所述铁电压电片和铁电介电体均为片状，铁电压电片的厚度大于铁电介电体的厚度，而且铁电压电片和铁电介电体通过共烧方法紧密复合在一起，构成多种层状复合结构；所述层状复合结构至少包括一种铁电压电片状材料和一种铁电介电体片状材料；所述铁电压电和铁电介电体均为圆形片状材料；所述铁电介电体为被调控的铁电介质；所述铁电压电片在静电场作用下产生形变，并且该形变传递至所述铁电介电体，从而调节铁电介电体的介电常数。

2.如权利要求1所述的层状复合结构可调控电容，其特征是，所述片状铁电介电体的材料为铁电钛酸钡陶瓷或铁电钛酸钡基改性掺杂陶瓷。

3.如权利要求1所述的层状复合结构可调控电容，其特征是，所述片状铁电介电体的上下表面被有银、金或铜镍金属电极膜。

4.如权利要求1所述的层状复合结构可调控电容，其特征是，所述铁电压电片的材料为铁电压电陶瓷材料，包括锆钛酸铅压电陶瓷、铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷、铌镁酸铅-锆钛酸铅单晶或铌锌酸铅-钛酸铅单晶中的一种或者多种，或者是无铅系列压电陶瓷或单晶中的一种或多种。

5.如权利要求4所述的层状复合结构可调控电容，其特征是，所述无铅系列压电陶瓷或单晶为铌酸钾钠。

6.如权利要求4所述的层状复合结构可调控电容，其特征是，所述铁电压电陶瓷材料沿其厚度方向极化。

7.如权利要求1所述的层状复合结构可调控电容，其特征是，所述铁电压电片的厚度大于铁电介电体厚度两倍以上。

8.如权利要求1～7任一所述的层状复合结构可调控电容，其特征是，所述多种层状复合结构为A)～D)中的任一种：

A)铁电压电片和铁电介电体均为圆形片；一个较厚的圆形铁电压电片和一个较薄的圆形片状铁电介电体复合在一起构成一个圆形压电单晶片层状复合结构；

B)一对较厚的压电片组成压电双晶片结构，所述压电双晶片再和一个或一对较薄的片状介电体复合在一起，形成层状复合结构；

C)多个较厚的压电片和多个较薄的片状介电体交替紧密复合形成多种层状复合结构，包括：两个压电片与一个片状介电体交替叠加形成的圆形三明治复合结构，或者多个(N>2个)较厚的压电片与多个(N-1个)较薄的片状介电体交替叠加形成的圆形多层复合结构。