[发明专利]背照式彩色影像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造背照式彩色影像传感器的方法，包括：

修改影像传感器芯片的前侧，包括像素数组，以产生电性连接到所述像素数组，所述电性连接从所述前侧往深度方向延伸进入所述影像传感器芯片内；

从所述影像传感器芯片的背侧暴露所述电性连接；

在暴露的步骤之后，平坦化所述影像传感器芯片的所述背侧以提供平坦的背侧表面；以及

在平坦化的步骤之后，施加彩色滤光片到所述平坦的背侧表面。

2.根据权利要求1所述的用于制造背照式彩色影像传感器的方法，所述修改前侧的步骤包括形成凹槽和所述电性连接，所述电性连接中的每一个连结所述凹槽的底部至所述像素数组中的一个的电路。

3.根据权利要求1所述的用于制造背照式彩色影像传感器的方法，所述暴露所述电性连接的步骤包括蚀刻所述背侧的部分以获得接取至所述电性连接。

4.根据权利要求3所述的用于制造背照式彩色影像传感器的方法，所述蚀刻的步骤包括蚀刻电介质层的部分以获得接取至所述电性连接。

5.根据权利要求1所述的用于制造背照式彩色影像传感器的方法，

在所述修改前侧的步骤中，所述电性连接被布置在电绝缘衬垫上；以及

所述平坦化所述背侧的步骤包括(a)均匀地薄化所述背侧至所述电绝缘衬垫的深度，以及(b)在所述背侧上制造电绝缘层，所述电绝缘层提供所述平坦的背侧表面。

6.根据权利要求5所述的用于制造背照式彩色影像传感器的方法，所述平坦化所述背侧的步骤更包括制造用于修改入射光的组件，所述组件至少部分地被所述电绝缘层封装。

7.根据权利要求5所述的用于制造背照式彩色影像传感器的方法，所述平坦化所述背侧的步骤包括：

沉积具有用于修改入射光的组件的氧化物层；以及

均匀地薄化所述氧化物层以提供所述平坦的背侧表面。

8.一种用于制造背照式彩色影像传感器的方法，包括：

修改影像传感器芯片的前侧，包括像素数组，以产生电性连接到所述像素数组，所述电性连接从所述前侧往深度方向延伸进入所述影像传感器芯片内；

平坦化所述影像传感器芯片的背侧以提供平坦的背侧表面；

在平坦化的步骤之后，施加彩色滤光片到所述平坦的背侧表面；以及

在施加的步骤之后，暴露所述电性连接。

9.根据权利要求8所述的用于制造背照式彩色影像传感器的方法，还包括：

在所述修改前侧的步骤中，将所述电性连接布置在电绝缘衬垫上；

在所述暴露所述电性连接的步骤之前，(a)均匀地薄化所述背侧至所述电绝缘衬垫的深度，以及(b)在所述背侧上产生电绝缘层；

在所述暴露的步骤中，蚀刻所述电绝缘层的部分以获得接取至所述电性连接；以及

在所述平坦化的步骤中，以导电材料填充所述部分和均匀地薄化所述背侧以提供所述平坦的背侧表面。

10.根据权利要求8所述的用于制造背照式彩色影像传感器的方法，所述修改前侧的步骤包括形成凹槽，所述电性连接中的每一个连结所述凹槽的底部至所述像素数组中的一个的电路。

11.根据权利要求8所述的用于制造背照式彩色影像传感器的方法，所述暴露所述电性连接的步骤包括蚀刻所述背侧的部分以获得接取至所述电性连接。

12.根据权利要求11所述的用于制造背照式彩色影像传感器的方法，所述蚀刻的步骤包括蚀刻电介质层的部分以获得接取至所述电性连接。

13.一种用于制造背照式彩色影像传感器的方法，包括：

修改影像传感器芯片的前侧，包括像素数组，以产生电性连接到所述像素数组，所述电性连接从所述前侧往深度方向延伸进入所述影像传感器芯片内，所述修改前侧的步骤包括：

(a)蚀刻凹槽，

(b)通过在所述凹槽内沉积电绝缘衬垫形成内衬凹槽，

(c)沉积所述电性连接，所述电性连接中的每一个连结所述内衬凹槽中的一个的底部的一部分至所述像素数组中的一个的电性互连，以及

(d)沉积电绝缘材料，所述绝缘材料填充所述内衬凹槽；以及

修改所述影像传感器芯片的背侧以暴露所述电性连接。