[发明专利]一种背光源、显示装置及显示装置的背光控制方法在审
申请号: | 201510222293.2 | 申请日: | 2015-05-04 |
公开(公告)号: | CN104763950A | 公开(公告)日: | 2015-07-08 |
发明(设计)人: | 徐利燕 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | F21S8/00 | 分类号: | F21S8/00;F21V19/00;G02F1/13357;F21Y101/02 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 背光源 显示装置 背光 控制 方法 | ||
1.一种背光源,其特征在于,包括:
衬底;
设置于所述衬底上的第一发光层,其中,所述第一发光层包括多个第一发光组,每个所述第一发光组包括至少一排有机发光二极管;
设置于所述第一发光层上的第一平坦保护层;
设置于所述第一平坦保护层上的第二发光层,其中,所述第二发光层包括多个第二发光组,相邻第二发光组之间具有间隙,每个所述第二发光组包括至少一排有机发光二极管;
其中,所述第二发光层中有机发光二极管以及所述第一发光层中对应所述间隙的有机发光二极管构成阵列形式排列的像素基色发光源。
2.根据权利要求1所述的背光源,其特征在于,所述背光源还包括:
设置于所述第二发光层上的第二平坦保护层。
3.根据权利要求1所述的背光源,其特征在于,每个所述有机发光二极管的类型为R型有机发光二极管、G型有机发光二极管和B型有机发光二极管中的任一种。
4.根据权利要求1所述的背光源,其特征在于,所述第一发光组对应所述间隙间隔设置于所述衬底上。
5.根据权利要求4所述的背光源,其特征在于,每个所述第一发光组包括一排有机发光二极管,且同一排有机发光二极管的类型相同;每个所述第二发光组包括一排有机发光二极管,且同一排有机发光二极管的类型相同;
其中,所述R型有机发光二极管与所述G型有机发光二极管和所述B型有机发光二极管相邻,所述G型有机发光二极管与所述B型有机发光二极管相邻。
6.根据权利要求4所述的背光源,其特征在于,所述第一发光组和所述第二发光组的宽度相等;所述第一发光组的宽度与所述间隙的宽度相等。
7.根据权利要求1所述的背光源,其特征在于,所述有机发光二极管为上发光型有机发光二极管或者穿透式有机发光二极管。
8.根据权利要求7所述的背光源,其特征在于,所述穿透式有机发光二极管包括遮光层,以及设置于所述遮光层上的有机发光二极管主体。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-8中任意一项所述的背光源,以及设置于所述背光源上的薄膜场效应晶体管液晶显示面板,其中,所述薄膜场效应晶体管液晶显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板,所述第一基板为阵列基板,所述第二基板为不设彩色膜层的封装基板。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述薄膜场效应晶体管液晶显示面板为扭曲向列TN型薄膜场效应晶体管液晶显示面板或者高级超维场转换技术ADS型薄膜场效应晶体管液晶显示面板。
11.一种显示装置的背光控制方法,应用于如权利要求9或10所述的显示装置,其特征在于,包括:
确定所述显示装置开启2D显示模式或3D显示模式;
在所述显示装置开启2D显示模式时,控制第一发光层和第二发光层开启;
在所述显示装置开启3D显示模式时,控制所述第一发光层开启、且所述第二发光层关闭。
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