[发明专利]一种黄铜矿型薄膜光伏电池及其制作方法在审
申请号: | 201510223339.2 | 申请日: | 2015-05-05 |
公开(公告)号: | CN104882508A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 李艺明;田宏波 | 申请(专利权)人: | 厦门神科太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0749 | 分类号: | H01L31/0749;H01L31/032 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 连耀忠 |
地址: | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 黄铜矿 薄膜 电池 及其 制作方法 | ||
1.一种黄铜矿型薄膜光伏电池的制作方法,包括光吸收层的制作;其特征在于:在光吸收层的制作过程中,是使用包含有0.1-15wt%的NaBiO3和85-99.9wt%的Cu-In-Ga的溅射靶材溅射沉积含有NaBiO3的Cu-In-Ga合金膜层,或者使用包含有0.1-18wt%的NaBiO3和82-99.9wt%的Cu-Ga的溅射靶材溅射沉积含有NaBiO3的Cu-Ga合金膜层,使其对CIGS基薄膜光伏材料的光吸收层进行钠掺杂;使光吸收层中含有0.02-1.5at%的钠。
2.根据权利要求1所述的黄铜矿型薄膜光伏电池的制作方法,其特征在于:所述光吸收层为铜铟镓硒、铜铟镓硫或铜铟镓硒硫。
3.一种黄铜矿型薄膜光伏电池,其特征在于:包括:
具有表面的衬底;
覆盖所述衬底表面的电介质材料层;
覆盖所述电介质材料层的背电极层;
覆盖所述背电极层的含有Na、Bi和O元素的光吸收层;
覆盖所述含有Na、Bi和O元素的光吸收层的缓冲层;和
覆盖所述缓冲层的透明导电窗口层。
4.根据权利要求3所述的黄铜矿型薄膜光伏电池,其特征在于:所述含有Na、Bi和O元素的光吸收层是通过使用包含有0.1-15wt%的NaBiO3和85-99.9wt%的Cu-In-Ga的溅射靶材溅射沉积含有NaBiO3的合金膜层,或者使用包含有0.1-18wt%的NaBiO3和82-99.9wt%的Cu-Ga的溅射靶材溅射沉积含有NaBiO3的合金膜层,使含有NaBiO3的合金膜层与CIGS光吸收层的预制层组合形成复合膜层,然后对复合膜层进行硒化和/或硫化热处理形成的;或者,所述含有Na、Bi和O元素的光吸收层是通过使用包含有0.1-15wt%的NaBiO3和85-99.9wt%的Cu-In-Ga的溅射靶材或使用包含有0.1-18wt%的NaBiO3和82-99.9wt%的Cu-Ga的溅射靶材与Cu-In-Ga靶材、Cu-Ga靶材或In靶材一起进行反应溅射形成的;所述含有Na、Bi和O元素的光吸收层中含有0.02-1.5at%的钠。
5.根据权利要求4所述的黄铜矿型薄膜光伏电池,其特征在于:所述复合膜层中含有NaBiO3的合金膜层的位置在背电极层与CIGS光吸收层的预制层之间和/或在CIGS光吸收层的预制层中和/或在CIGS光吸收层的预制层的上表面。
6.根据权利要求5所述的黄铜矿型薄膜光伏电池,其特征在于:所述CIGS光吸收层的预制层为铜铟镓、铜铟镓硒、铜铟镓硫、铜铟镓硒硫、铜铟、铜铟硒、铜铟硫或铜铟硒硫。
7.根据权利要求3所述的黄铜矿型薄膜光伏电池,其特征在于:所述电介质材料层由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化钛、氧化钛、氮氧化钛、氮氧化锆、氧化锆、氮化锆、氮化铝、氧化铝、氧化硅铝、氮化硅铝、氮氧化硅铝、锌锡氧化物或它们的混合物组成;或者是,所述电介质材料层由硅、锆和钛中的至少一种元素与钼组成的至少两种元素的氧化物、氮化物或氮氧化物组成;当衬底为玻璃基板时,所述电介质材料层由一含有Li、K中至少一种元素的碱过滤层替代,该碱过滤层包含Li、K中的至少一种元素和Si、Al、O三种元素。
8.根据权利要求3所述的黄铜矿型薄膜光伏电池,其特征在于:所述背电极层为钼电极层、钛电极层、铬电极层或AZO透明导电层。
9.根据权利要求3所述的黄铜矿型薄膜光伏电池,其特征在于:所述含有Na、Bi和O元素的光吸收层为具有黄铜矿结构的含有Na、Bi和O元素的铜铟镓硒膜层、含有Na、Bi和O元素的铜铟镓硫膜层或含有Na、Bi和O元素的铜铟镓硒硫膜层。
10.根据权利要求3所述的黄铜矿型薄膜光伏电池,其特征在于:所述缓冲层选用硫化镉、氧化锌、硫化锌、硒化锌、硒化铟、硫化铟或锌镁氧化物中的一种或两种以上。
11.根据权利要求3所述的黄铜矿型薄膜光伏电池,其特征在于:所述透明导电窗口层选用银基透明导电膜、氧化铟掺杂锡、氧化锌掺杂铝、氧化锌掺杂镓、氧化锌掺杂铟、氧化锡掺杂氟或氧化锡掺杂锑中的一种或两种以上透明导电膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的