[发明专利]减毒沙门菌VNP20009在基因表达中的应用在审

专利信息
申请号: 201510223921.9 申请日: 2015-05-06
公开(公告)号: CN104805113A 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 陈廷涛;邓侃;辛洪波 申请(专利权)人: 南昌大学
主分类号: C12N15/74 分类号: C12N15/74;C12N15/51;C12R1/42
代理公司: 南昌市平凡知识产权代理事务所 36122 代理人: 夏材祥
地址: 330096 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 沙门 vnp20009 基因 表达 中的 应用
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种减毒沙门菌VNP20009在基因表达中的应用,具体涉及一种以减毒沙门菌VNP20009为载体来传递效应基因的方法。

背景技术

沙门菌是一种侵袭性胞内菌,它与宿主之间的反应通过III型分泌机制介导,这种机制使细菌的效应蛋白能直接转移到真核细胞发挥作用,使其可以传递表达效应基因并同时表达多种治疗性蛋白。巨噬细胞是沙门菌的天然靶点,不仅在局部形成沙门菌的细胞靶点,而且建立细胞储存库使细菌系统性扩散。沙门菌侵入淋巴系统,通过血液循环定居在脾脏和肝脏等器官。

VNP20009是一种将野生型鼠沙门菌通过基因修饰构建的基因工程沙门菌,部分删除了编码脂质体A的末端序列msbB(明显减低诱导血液中单核细胞产生TNF-α的能力),并敲除purI基因(由于pur系列基因编码嘌呤合成途径中的一系列酶,purI基因缺失将影响嘌呤合成,进而影响DNA的合成从而使细菌毒性降低),两种突变使细菌毒力降低10000倍,同时没有影响沙门菌的肿瘤正常组织比(>1000:1),并保持了它们在原发灶及转移灶内生长能力。

    目前蛋白表达主要采用原核表达和真核表达系统,但有些蛋白却不易表达,本研究采用以减毒沙门菌VNP20009为载体,自行构建表达减毒沙门体系来有效地传递多种效应基因,避免了蛋白不易表达和主要表达在包涵体的缺陷。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术的不足,提供一种种减毒沙门菌VNP20009在基因表达中的应用,具体为以减毒沙门菌VNP20009为载体来传递效应基因的方法。

本发明所述应用包括下列步骤:

1、沙门氏菌感受态制备:挑取沙门氏菌VNP20009单菌落接种至3 mL无抗性LB培养中,37°C 200 rpm摇床培养过夜(约16 h),次日将400 uL活化菌液加到40 mL无抗性LB液体培养基中,37°C 200 rpm摇床培养100 min至OD 600到达0.4左右将培养物冰上放置0.5 h,同时离心机预冷,5000 rpm离心5 min弃上清,沉淀用10%甘油10 mL悬浮细胞,冰上放置10 min重复离心,上述步骤再重复一次,最后一次离心的沉淀用400 uL 10%甘油重新悬浮细胞,感受态置冰上备用;

2、疫苗菌株构建:用电转化法将C20重组质粒分别导入感受态沙门氏菌VNP20009中,电转化条件:电压2.5kv、电容25 u F、电阻200 Q;

3、细胞侵染实验: HepG2.2.15细胞以1×1 05细胞/孔的密度接种于96孔板,用无抗性培养基培养过夜,重组质粒细菌接种于1 00 ng/mL Amp抗性的LB培养基中,37℃恒温摇床200 rpm振荡培养过夜,至对数生氏晚期(OD600>3),PBS清洗后用含有10%FBS的无抗性1640细胞培养基重悬;5×10 7菌落形成单位的重组疫苗细菌加入细胞培养板内感染HepG2.2.15细胞,并且以空载体细菌作为对照,细菌与细胞共孵育3 h后,去除细胞培养上清,并用PBS清洗三遍,添加双抗(100 U/mL氨苄青霉素和100 U/mL硫酸链霉素)去除没有进入细胞内的细菌,培养1-2天后,检测细胞分泌乙肝表面抗原的量。

4、Elisa法检测乙型肝炎病毒表面抗原:

(1)加样:根据检验要求,将选择的预包被板条固定于板架,加入25ul样品稀释于板架,加入25ul样品稀释液于反应孔中。每次检验设阴性对照3孔、阳性对照2孔,加阴性、阳性对照各75ul;设空白对照1孔,不加样品,其余孔加入待测样品75ul,振荡混匀。

(2)温育:置37±1°C温浴60分钟。

(3)加酶:空白对照孔不加酶标记物,其余孔加入酶标记物50ul,振荡混匀。

(4)温育:置37±1°C温育30分钟

(5)洗涤:弃去孔内液体,将稀释后的洗液注满各孔,静置30-60秒,弃去孔内洗液。重复洗6次后拍干。

(6)显色:每孔加入底物缓冲液50ul,再加入底物液50ul,振荡混匀,置37±1°C温育30分钟。

(7)终止:每孔加入终止液50ul,轻拍混匀。

(8)读值:用酶标仪读值,在单波长450nm(须以空白对照孔校零)或双波长450nm/620nm-700nm下读取各孔A值。

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